Name: SIHG11N80E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHG11N80E-GE3-ND
Price: 23.2555 SEK
Availability: OutOfStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

SIHG11N80E-GE3
DigiKeys produktnummer	SIHG11N80E-GE3-ND
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIHG11N80E-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC
Tillverkarens standardleveranstid	25 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 800 V 12 A (Tc) 179W (Tc) Genomgående hål TO-247AC
Datablad	Datablad

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	E
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	800 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	12 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	440mOhm vid 5,5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	88 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1670 pF @ 100 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	179W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	TO-247AC
Inkapsling/låda	TO-247-3
Basproduktens nummer	SIHG11

Enhetspris exkl. moms:	kr 18,60440
Enhetspris inkl. moms:	kr 23,25550

SIHG11N80E-GE3