FET-, MOSFET-arrayer

Resultat : 5 683
Tillverkare
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedAnalog Power Inc.BruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLC
Serie
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
Förpackning
Band (byggindustri)BoxBulkDigi-Reel®Remsa och spole (TR)Remsbit (CT)RörTråg
Produktstatus
AktivFöråldradHar utgått hos Digi-KeyInte för nya designerSenaste tidpunkt för inköp
Teknologi
-GaNFET (galliumnitrid)Kiselkarbid (SiC)MOSFET (Metalloxid)SiCFET (kiselkarbid)
Konfiguration
2 N och 2 P-kanal2 N och 2 P-kanal matchande par2 N-kanal2 N-kanal (dubbel Buck Chopper)2 N-kanal (dubbel)2 N-kanal (dubbel) asymmetrisk2 N-kanal (dubbel) gemensam emitter2 N-kanal (dubbel) gemensam kollektor2 N-kanal (dubbel) matchande par2 N-kanal (dubbel), P-kanal2 N-kanal (dubbel), Schottky2 N-kanal (fassteg)
FET-funktion
-Kiselkarbid (SiC)LogiknivågrindLogiknivågrind, 0,9V drivningLogiknivågrind, 1,2V drivningLogiknivågrind, 1,5V drivningLogiknivågrind, 1,8V drivningLogiknivågrind, 2,5V drivningLogiknivågrind, 4,5V drivningLogiknivågrind, 4V drivningLogiknivågrind, 5V drivningLogiknivåport, 10V drivningUtarmningstyp
Drain till source-spänning (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA100mA (Ta)100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)
Rds On (max) @ Id, Vgs
0,46mOhm vid 160A, 12V0,762mOhm vid 160A, 12V0,765mOhm vid 160A, 12V, 0,580mOhm vid 160A, 12V0,765mOhm vid 160A, 12V, 0,710mOhm vid 160A, 12V0,8mOhm vid 1200A, 10V0,88mOhm vid 160A, 14V, 0,71mOhm vid 160A, 14V0,88mOhm vid 50A, 10V0,95mOhm vid 30A, 10V0,95mOhm vid 8A, 4,5V0,99mOhm vid 80A, 10V, 1,35mOhm vid 80A, 10V1,039mOhm vid 160A, 12V, 762µOhm vid 160A, 12V1,2mOhm vid 800A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
10mV vid 10µA10mV vid 1µA10mV vid 20µA20mV vid 10µA20mV vid 1µA20mV vid 20µA180mV vid 1µA200mV vid 2,8A, 200mV vid 1,9A220mV vid 1µA360mV vid 1µA380mV vid 1µA400 mV vid 250 µA (min.)
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
0,4pC vid 4,5V, 7,3nC vid 4,5V0,45pC vid 4,5V0,16nC vid 5V, 0,044nC vid 5V0,22nC vid 5V, 0,044nC vid 5V0,26nC vid 2,5V0,28nC vid 4,5V0,28nC vid 4,5V, 0,3nC vid 4,5V0,3nC vid 4,5V0,3nC vid 4,5V, 0,28nC vid 4,5V0,304nC vid 4,5V0,31nC vid 4,5V0,32nC vid 4,5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2,5pF vid 5V3pF vid 5V5pF vid 3V6pF vid 3V6,2pF vid 10V6,6pF vid 10V7pF vid 10V7pF vid 3V7,1pF vid 10V7,4pF vid 10V7,5pF vid 10V8,5pF vid 3V
Effekt - max
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW125mW (Ta)140mW150mW150mW (Ta)180mW200mW
Arbetstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C (TA)-55°C ~ 175°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 125°C
Grad
-AutomotiveMilitary
Godkännande
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Monteringstyp
-ChassimonteringGenomgående hålYtmonteringYtmontering, vätbar sida
Inkapsling/låda
4-SMD, utan ledning4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN frilagt öra4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA
Leverantörens enhetsförpackning
4 kretsars LGA (1,59 x 1,59)4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-BGA (1x1)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1,74x1,74)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)
Lageralternativ
Miljöalternativ
Media
MARKETPLACE-PRODUKT
5 683Resultat

Visar
av 5 683
Jämför
Tillv. artnr.
Tillgängligt antal
Pris
Serie
Förpackning
Produktstatus
Teknologi
Konfiguration
FET-funktion
Drain till source-spänning (Vdss)
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Rds On (max) @ Id, Vgs
Vgs(th) (Max) @ Id
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
Effekt - max
Arbetstemperatur
Grad
Godkännande
Monteringstyp
Inkapsling/låda
Leverantörens enhetsförpackning
27 407
I lager
1 : kr 2,48000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,42024
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
-
60V
300mA
1,5Ohm vid 100mA, 10V
2,1V vid 250µA
0,6nC vid 4,5V
40pF vid 10V
285mW
150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
775 266
I lager
1 : kr 2,80000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,61651
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
Logiknivågrind, 1,2V drivning
50V
200mA
2,2Ohm vid 200mA, 4,5V
1V vid 1mA
-
25pF vid 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
354 008
I lager
1 : kr 2,80000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,63020
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
Logiknivågrind, 0,9V drivning
50V
200mA
2,2Ohm vid 200mA, 4,5V
800mV vid 1mA
-
26pF vid 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
8 SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
242 935
I lager
385 000
Fabrik
1 : kr 2,80000
Remsbit (CT)
2 500 : kr 0,84895
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 P-kanal (dubbel)
Logiknivågrind
30V
3,9A
70mOhm vid 5,3A, 10V
3V vid 250µA
11nC vid 10V
563pF vid 25V
1,1W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
8-SOIC (bredd 0,154", 3,90mm)
8-SO
SOT 26
DMN2004DMK-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Diodes Incorporated
147 885
I lager
72 000
Fabrik
1 : kr 3,13000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 1,27341
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
Logiknivågrind
20V
540mA
550mOhm vid 540mA, 4,5V
1V vid 250µA
-
150pF vid 16V
225mW
-65°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-23-6
SOT-26
8-SOIC
AO4629
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
170 197
I lager
1 : kr 3,23000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 1,29360
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N och P-kanal, gemensam kollektor
Logiknivågrind
30V
6A, 5,5A
30mOhm vid 6A, 10V
2,4V vid 250µA
6,3nC vid 10V
310pF vid 15V
2W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
8-SOIC (bredd 0,154", 3,90mm)
8-SOIC
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
155 547
I lager
1 : kr 3,67000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,66365
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
-
60V
230mA
7,5Ohm vid 50mA, 5V
2V vid 250µA
-
50pF vid 25V
310mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
70 442
I lager
1 : kr 3,77000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 1,02238
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
Logiknivågrind
20V
610mA (Ta)
396mOhm vid 500mA, 4,5V
1V vid 250µA
2nC vid 8V
43pF vid 10V
220mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-563, SOT-666
SC-89 (SOT-563F)
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
21 064
I lager
1 : kr 3,77000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,67756
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Inte för nya designer
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
Logiknivågrind
60V
320mA
1,6Ohm vid 500mA, 10V
2,4V vid 250µA
0,8nC vid 4,5V
50pF vid 10V
420mW
150°C (TJ)
Automotive
AEC-Q100
Ytmontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
273 601
I lager
1 : kr 3,88000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,69502
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
Logiknivågrind, 1,5V drivning
20V
250mA (Ta)
2,2Ohm vid 100mA, 4,5V
1V vid 1mA
-
12pF vid 10V
300mW
150°C
-
-
Ytmontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
SOT-363
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
136 761
I lager
1 : kr 3,88000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,64727
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
Logiknivågrind
60V
295mA
1,6Ohm vid 500mA, 10V
2,5V vid 250µA
0,9nC vid 4,5V
26pF vid 20V
250mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
121 332
I lager
1 : kr 3,88000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 1,03941
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
-
30V
250mA
1,5Ohm vid 10mA, 4V
1,5V vid 100µA
1,3nC vid 5V
33pF vid 5V
272mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363 PKG
BSD235NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Infineon Technologies
20 618
I lager
1 : kr 3,88000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 1,05816
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
Logiknivågrind
20V
950mA
350mOhm vid 950mA, 4,5V
1,2V vid 1,6µA
0,32nC vid 4,5V
63pF vid 10V
500mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automotive
AEC-Q101
Ytmontering
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
TSOT-26
DMG6602SVTQ-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
94 009
I lager
1 161 000
Fabrik
1 : kr 3,99000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 1,07347
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N och P-kanal
-
30V
3,4A, 2,8A
60mOhm vid 3,1A, 10V
2,3V vid 250µA
13nC vid 10V
400pF vid 15V
840mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-23-6 smal, TSOT-23-6
TSOT-26
6DFN
PMCXB900UEZ
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
Nexperia USA Inc.
107 784
I lager
1 : kr 4,10000
Remsbit (CT)
5 000 : kr 1,05993
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N och P-kanal komplementär
Logiknivågrind
20V
600mA, 500mA
620mOhm vid 600mA, 4,5V
950mV vid 250µA
0,7nC vid 4,5V
21,3pF vid 10V
265mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
6-XFDFN frilagt öra
DFN1010B-6
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
onsemi
85 829
I lager
1 : kr 4,20000
Remsbit (CT)
4 000 : kr 1,13823
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N och P-kanal
Logiknivågrind
20V
540mA, 430mA
550mOhm vid 540mA, 4,5V
1V vid 250µA
2,5nC vid 4,5V
150pF vid 16V
250mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-563, SOT-666
SOT-563
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
51 999
I lager
1 038 000
Fabrik
1 : kr 4,20000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,92183
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N och P-kanal
Logiknivågrind
30V
3,8A, 2,5A
55mOhm vid 3,4A, 10V
1,5V vid 250µA
12,3nC vid 10V
422pF vid 15V
850mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-23-6 smal, TSOT-23-6
TSOT-26
SOT 563
DMG1029SV-7
MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Diodes Incorporated
435 029
I lager
1 884 000
Fabrik
1 : kr 4,31000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 1,16381
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N och P-kanal
Logiknivågrind
60V
500mA, 360mA
1,7Ohm vid 500mA, 10V
2,5V vid 250µA
0,3nC vid 4,5V
30pF vid 25V, 25pF vid 25V
450mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
155 786
I lager
2 568 000
Fabrik
1 : kr 4,31000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,77530
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N och P-kanal
Logiknivågrind
20V
1,03A, 700mA
480mOhm vid 200mA, 5V
900mV vid 250µA
0,5nC vid 4,5V
37,1pF vid 10V
450mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 563
2N7002VC-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
Diodes Incorporated
64 709
I lager
1 : kr 4,31000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 1,16381
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
-
60V
280mA
7,5Ohm vid 50mA, 5V
2,5V vid 250µA
-
50pF vid 25V
150mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-563, SOT-666
SOT-563
MCM2301-TP
MCM3400A-TP
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN
Micro Commercial Co
33 320
I lager
1 : kr 4,31000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 1,16208
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal
-
30V
5A
32mOhm vid 5,8A, 10V
1,5V vid 250µA
-
1155pF vid 15V
1,4W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
6-VDFN frilagt öra
DFN2020-6L
6DFN
PMDXB550UNEZ
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
Nexperia USA Inc.
31 798
I lager
1 : kr 4,31000
Remsbit (CT)
5 000 : kr 1,11577
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
-
30V
590mA
670mOhm vid 590mA, 4,5V
950mV vid 250µA
1,05nC vid 4,5V
30,3pF vid 15V
285mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
6-XFDFN frilagt öra
DFN1010B-6
U-DFN2020-6
DMN3032LFDB-7
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
10 655
I lager
219 000
Fabrik
1 : kr 4,31000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 1,46784
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
-
30V
6,2A
30mOhm vid 5,8A, 10V
2V vid 250µA
10,6nC vid 10V
500pF vid 15V
1W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
6-UDFN frilagt öra
U-DFN2020-6 (typ B)
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
93 450
I lager
1 : kr 4,42000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,79635
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
Logiknivågrind
60V
300mA
3Ohm vid 500mA, 10V
2,5V vid 250µA
0,6nC vid 10V
20pF vid 25V
500mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT 363
SI1539CDL-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6
Vishay Siliconix
31 164
I lager
1 : kr 4,42000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 1,19277
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N och P-kanal
Logiknivågrind
30V
700mA, 500mA
388mOhm vid 600mA, 10V
2,5V vid 250µA
1,5nC vid 10V
28pF vid 15V
340mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-70-6
Visar
av 5 683

FET-, MOSFET-arrayer


Fälteffekttransistorer (FET) är elektroniska komponenter som använder ett elektriskt fält för att kontrollera flödet av ström. När man applicerar en spänning på gaten förändras konduktiviteten mellan drain- och source-kontakterna. FET:er kallas även unipolära transistorer eftersom de inbegriper användning av endast en laddningsbärartyp. Dvs. en FET använder elektroner eller hål som laddningsbärare under drift, men inte båda. Fälteffekttransistorer uppvisar i allmänhet mycket hög ingångsimpedans vid låga frekvenser.