Vishay Siliconix FET:ar, MOSFET:ar enskilda

Visar

av 5 019

Tillv. artnr.	Tillgängligt antal	Pris	Serie	Förpackning	Produktstatus	FET-typ	Teknologi	Drain till source-spänning (Vdss)	Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	Rds On (max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	FET-funktion	Effektförlust (max)	Arbetstemperatur	Grad	Godkännande	Monteringstyp	Leverantörens enhetsförpackning	Inkapsling/låda
2N7002K-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 300MA TO236 Vishay Siliconix	150 039 I lager	1 : kr 2,60000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,55381 Remsa och spole (TR)	TrenchFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	300mA (Ta)	4,5V, 10V	2Ohm vid 500mA, 10V	2,5V vid 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	30 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI1062X-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V SC89-3 Vishay Siliconix	1 974 I lager	1 : kr 3,32000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,72824 Remsa och spole (TR)	TrenchFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	530mA (Ta)	1,5V, 4,5V	420mOhm vid 500mA, 4,5V	1V vid 250µA	2.7 nC @ 8 V	±8V	43 pF @ 10 V	-	220mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SC-89-3	SC-89, SOT-490
SI2365EDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236 Vishay Siliconix	1 255 I lager	1 : kr 3,86000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,83251 Remsa och spole (TR)	TrenchFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	5,9 A (Tc)	1,8V, 4,5V	32mOhm vid 4A, 4,5V	1V vid 250µA	36 nC @ 8 V	±8V	-	-	1W (Ta), 1,7W (Tc)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2347DS-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3 Vishay Siliconix	190 650 I lager	1 : kr 4,05000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,87035 Remsa och spole (TR)	TrenchFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	5 A (Tc)	4,5V, 10V	42mOhm vid 3,8A, 10V	2,5V vid 250µA	22 nC @ 10 V	±20V	705 pF @ 15 V	-	1,7W (Tc)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI3443DDV-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 4A/5.3A 6TSOP Vishay Siliconix	118 948 I lager	1 : kr 4,05000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,87035 Remsa och spole (TR)	TrenchFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	4 A (Ta), 5,3 A (Tc)	2,5V, 4,5V	47mOhm vid 4,5A, 4,5V	1,5V vid 250µA	30 nC @ 8 V	±12V	970 pF @ 10 V	-	1,7W (Ta), 2,7W (Tc)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	6-TSOP	SOT-23-6 smal, TSOT-23-6
SI2308CDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3 Vishay Siliconix	110 743 I lager	1 : kr 4,78000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 1,05503 Remsa och spole (TR)	TrenchFET® Gen IV	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	2,6 A (Tc)	4,5V, 10V	144mOhm vid 1,9A, 10V	3V vid 250µA	4 nC @ 10 V	±20V	105 pF @ 30 V	-	1,6W (Tc)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI1308EDL-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323 Vishay Siliconix	122 846 I lager	1 : kr 4,97000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 1,11458 Remsa och spole (TR)	TrenchFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	1,4 A (Tc)	2,5V, 10V	132mOhm vid 1,4A, 10V	1,5V vid 250µA	4.1 nC @ 10 V	±12V	105 pF @ 15 V	-	400mW (Ta), 500mW (Tc)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SC-70-3	SC-70, SOT-323
SI2304DDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23 Vishay Siliconix	29 017 I lager	1 : kr 5,06000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 1,11185 Remsa och spole (TR)	TrenchFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	3,3 A (Ta), 3,6 A (Tc)	4,5V, 10V	60mOhm vid 3,2A, 10V	2,2V vid 250µA	6.7 nC @ 10 V	±20V	235 pF @ 15 V	-	1,1W (Ta), 1,7W (Tc)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2318CDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3 Vishay Siliconix	146 893 I lager	1 : kr 5,20000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 1,20741 Remsa och spole (TR)	TrenchFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	5,6 A (Tc)	4,5V, 10V	42mOhm vid 4,3A, 10V	2,5V vid 250µA	9 nC @ 10 V	±20V	340 pF @ 20 V	-	1,25W (Ta), 2,1W (Tc)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3 Vishay Siliconix	81 043 I lager	1 : kr 5,20000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 1,17591 Remsa och spole (TR)	TrenchFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	8 V	5,8 A (Tc)	1,8V, 4,5V	35mOhm vid 4,4A, 4,5V	1V vid 250µA	30 nC @ 8 V	±8V	960 pF @ 4 V	-	960mW (Ta), 1,7W (Tc)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SQ2308FES-T1_GE3 MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23 Vishay Siliconix	9 047 I lager	1 : kr 5,34000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 1,20480 Remsa och spole (TR)	TrenchFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	2,3 A (Tc)	4,5V, 10V	150mOhm vid 2,3A, 10V	2,5V vid 250µA	5.3 nC @ 10 V	±20V	205 pF @ 30 V	-	2W (Tc)	-55°C-175°C (TJ)	Automotive	AEC-Q101	Ytmontering	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI1416EDH-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363 Vishay Siliconix	54 786 I lager	1 : kr 5,43000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 1,23354 Remsa och spole (TR)	TrenchFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	3,9 A (Tc)	2,5V, 10V	58mOhm vid 3,1A, 10V	1,4V vid 250µA	12 nC @ 10 V	±12V	-	-	2,8W (Tc)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SC-70-6	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SI2387DS-T1-GE3 P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1 Vishay Siliconix	35 314 I lager	1 : kr 5,61000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 1,28806 Remsa och spole (TR)	TrenchFET® Gen IV	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	80 V	2,1A (Ta), 3A (Tc)	4,5V, 10V	164mOhm vid 2,1A, 10V	2,5V vid 250µA	10.2 nC @ 10 V	±20V	395 pF @ 40 V	-	1,3W (Ta), 2,5W (Tc)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SQ1464EEH-T1_GE3 MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6 Vishay Siliconix	40 171 I lager	1 : kr 5,70000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 1,30484 Remsa och spole (TR)	TrenchFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	440mA (Tc)	1,5V	1,41Ohm vid 2A, 1,5V	1V vid 250µA	4.1 nC @ 4.5 V	±8V	140 pF @ 25 V	-	430mW (Tc)	-55°C-175°C (TJ)	Automotive	AEC-Q101	Ytmontering	SC-70-6	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SI2393DS-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 6.1A/7.5A SOT23 Vishay Siliconix	23 889 I lager	1 : kr 5,56000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 1,27334 Remsa och spole (TR)	TrenchFET® Gen IV	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	6,1A (Ta), 7,5A (Tc)	4,5V, 10V	22,7mOhm vid 5A, 10V	2,2V vid 250µA	25.2 nC @ 10 V	+16V, -20V	980 pF @ 15 V	-	1,3W (Ta), 2,5W (Tc)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SQ2318CES-T1_GE3 MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3 Vishay Siliconix	20 730 I lager	1 : kr 5,80000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 1,33060 Remsa och spole (TR)	TrenchFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	7 A (Tc)	4,5V, 10V	31mOhm vid 7,9A, 10V	2,5V vid 250µA	13 nC @ 10 V	±20V	553 pF @ 20 V	-	3W (Tc)	-55°C-175°C (TJ)	Automotive	AEC-Q101	Ytmontering	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI3424CDV-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP Vishay Siliconix	43 634 I lager	1 : kr 5,98000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 1,33955 Remsa och spole (TR)	TrenchFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	8 A (Tc)	4,5V, 10V	26mOhm vid 7,2A, 10V	2,5V vid 250µA	12.5 nC @ 10 V	±20V	405 pF @ 15 V	-	3,6W (Tc)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	6-TSOP	SOT-23-6 smal, TSOT-23-6
SI2300DS-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3 Vishay Siliconix	62 001 I lager	1 : kr 5,91000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 1,36440 Remsa och spole (TR)	TrenchFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	3,6 A (Tc)	2,5V, 4,5V	68mOhm vid 2,9A, 4,5V	1,5V vid 250µA	10 nC @ 10 V	±12V	320 pF @ 15 V	-	1,1W (Ta), 1,7W (Tc)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2367DS-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23-3 Vishay Siliconix	16 873 I lager	1 : kr 5,91000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 1,36440 Remsa och spole (TR)	TrenchFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3,8 A (Tc)	1,8V, 4,5V	66mOhm vid 2,5A, 4,5V	1V vid 250µA	23 nC @ 8 V	±8V	561 pF @ 10 V	-	960mW (Ta), 1,7W (Tc)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3 Vishay Siliconix	11 321 I lager	1 : kr 5,91000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 1,40732 Remsa och spole (TR)	TrenchFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	12 V	6 A (Tc)	1,5V, 4,5V	28mOhm vid 5A, 4,5V	1V vid 250µA	35 nC @ 8 V	±8V	1275 pF @ 6 V	-	1,2W (Ta), 1,7W (Tc)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SQ2361CES-T1_GE3 MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3 Vishay Siliconix	36 346 I lager	1 : kr 6,26000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 1,43778 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	2,8 A (Tc)	4,5V, 10V	177mOhm vid 2,4A, 10V	2,5V vid 250µA	12 nC @ 10 V	±20V	550 pF @ 30 V	-	2W (Tc)	-55°C-175°C (TJ)	Automotive	AEC-Q101	Ytmontering	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2301CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 Vishay Siliconix	130 703 I lager	1 : kr 6,18000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 1,42616 Remsa och spole (TR)	TrenchFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3,1 A (Tc)	2,5V, 4,5V	112mOhm vid 2,8A, 4,5V	1V vid 250µA	10 nC @ 4.5 V	±8V	405 pF @ 10 V	-	860mW (Ta), 1,6W (Tc)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2312CDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3 Vishay Siliconix	45 213 I lager	1 : kr 6,35000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 1,42616 Remsa och spole (TR)	TrenchFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	6 A (Tc)	1,8V, 4,5V	31,8mOhm vid 5A, 4,5V	1V vid 250µA	18 nC @ 5 V	±8V	865 pF @ 10 V	-	1,25W (Ta), 2,1W (Tc)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2301CDS-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 Vishay Siliconix	37 968 I lager	1 : kr 6,53000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 1,48742 Remsa och spole (TR)	TrenchFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3,1 A (Tc)	2,5V, 4,5V	112mOhm vid 2,8A, 4,5V	1V vid 250µA	10 nC @ 4.5 V	±8V	405 pF @ 10 V	-	860mW (Ta), 1,6W (Tc)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI3127DV-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP Vishay Siliconix	148 584 I lager	1 : kr 6,72000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 1,57728 Remsa och spole (TR)	TrenchFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	3,5 A (Ta), 13 A (Tc)	4,5V, 10V	89mOhm vid 1,5A, 4,5V	3V vid 250µA	30 nC @ 10 V	±20V	833 pF @ 20 V	-	2W (Ta), 4,2W (Tc)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	6-TSOP	SOT-23-6 smal, TSOT-23-6

Visar

av 5 019

Enstaka FET:ar, MOSFET:ar

Fälteffekttransistorer (FET:ar) och MOSFET:ar (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) är olika typer av transistorer som används för att förstärka eller switcha elektroniska signaler.

En FET fungerar genom att styra flödet av elektrisk ström mellan source- och drain-anslutningarna genom ett elektriskt fält som genereras av en spänning som appliceras på gate-anslutningen. Den största fördelen med FET:ar är deras höga ingångsimpedans, vilket gör dem perfekta för användning i signalförstärkning och analoga kretsar. De används ofta i tillämpningar som förstärkare, oscillatorer och buffertsteg i elektroniska kretsar.

MOSFET:ar, som är en undertyp av FET:ar, har en gate-anslutning som är isolerad från kanalen med ett tunt oxidskikt, vilket förbättrar dess prestanda och gör dem mycket effektiva. MOSFET:ar kan delas in i två olika typer:

MOSFET:ar med n-kanal: där elektroner är de primära bärarna.
MOSFET:ar med p-kanal: där hål är de primära bärarna.

MOSFET:ar är att föredra i många tillämpningar tack vare deras låga strömförbrukning, snabba switchning och förmåga att hantera stora strömmar och spänningar. De är avgörande i digitala och analoga kretsar, inklusive strömförsörjning, motorstyrningar och radiofrekvenstillämpningar.

MOSFET:ars funktion kan delas upp i två olika lägen:

Förbättringsläge: I det här läget är MOSFET:en normalt avstängd när gate-source spänningen är noll. Den kräver en positiv gate-source spänning (för n-kanal) eller en negativ gate-source spänning (för p-kanal) för att slås på.
Tömningsläge: I det här läget är MOSFET:en normalt på när gate-source spänningen är noll. Om man lägger på en gate-source spänning med motsatt polaritet kan den stängas av.

MOSFET:ar har flera fördelar, t.ex:

Hög verkningsgrad: De förbrukar väldigt lite ström och kan växla läge snabbt, vilket gör dem väldigt effektiva i tillämpningar för strömhantering.
Låg resistans vid tillslag: De har låg tillslagsresistans, vilket minimerar strömförluster och värmeutveckling.
Hög ingångsimpedans: Konstruktionen med en isolerad gate ger en extremt hög ingångsimpedans, vilket gör dem perfekta för signalförstärkning med hög impedans.

Sammanfattningsvis är FET:ar, och i synnerhet MOSFET:ar, grundläggande komponenter i modern elektronik, och är kända för sin verkningsgrad, snabbhet och mångsidighet i en stor mängd tillämpningar, allt från signalförstärkning med låg effekt till switchning och styrning med hög effekt.

Enstaka FET:ar, MOSFET:ar

INFORMATION

HJÄLP

KONTAKTA OSS

FÖLJ OSS