FET:ar, MOSFET:ar enskilda

Visar

av 44 987

Tillv. artnr.	Tillgängligt antal	Pris	Serie	Förpackning	Produktstatus	FET-typ	Teknologi	Drain till source-spänning (Vdss)	Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	Rds On (max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	Spänning kopplad till gateladdning (Qg) (max) @ Vgs	Vgs (Max)	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	Spänning kopplad till ingångskapacitans (Ciss) (max) @ Vds	FET-funktion	Effektförlust (max)	Arbetstemperatur	Grad	Godkännande	Monteringstyp	Leverantörens enhetsförpackning	Inkapsling/låda
T2N7002AK,LM MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Toshiba Semiconductor and Storage	183 421 I lager	1 : kr 1,23000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,21156 Remsa och spole (TR)	U-MOSVII-H	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	200mA (Ta)	4,5V, 10V	3,9Ohm vid 100mA, 10V	2,1V vid 250µA	0.35 nC @ 4.5 V	0.35 nC @ 4.5 V	-	±20V	17 pF @ 10 V	17 pF @ 10 V	-	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTR4003NT3G MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3 onsemi	102 339 I lager	1 : kr 1,23000 Remsbit (CT) 10 000 : kr 0,39427 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	500mA (Ta)	2,5V, 4V	1,5Ohm vid 10mA, 4V	1,4V vid 250µA	1.15 nC @ 5 V	1.15 nC @ 5 V	-	±20V	21 pF @ 5 V	21 pF @ 5 V	-	-	690mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PJC138K_R1_00001 SOT-323, MOSFET Panjit International Inc.	2 584 I lager	1 : kr 1,23000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,29811 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	360mA (Ta)	2,5V, 10V	1,6Ohm vid 500mA, 10V	1,5V vid 250µA	1 nC @ 4.5 V	1 nC @ 4.5 V	-	±20V	50 pF @ 25 V	50 pF @ 25 V	-	-	236mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-323	SC-70, SOT-323
2N7002-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Diodes Incorporated	423 252 I lager	1 : kr 1,32000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,24041 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5Ohm vid 50mA, 5V	2,5V vid 250µA	-	-	-	±20V	50 pF @ 25 V	50 pF @ 25 V	-	-	370mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS123NH6327XTSA1 MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Infineon Technologies	145 830 I lager	1 : kr 1,32000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,38465 Remsa och spole (TR)	OptiMOS™	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	190mA (Ta)	4,5V, 10V	6Ohm vid 190mA, 10V	1,8V vid 13µA	0.9 nC @ 10 V	0.9 nC @ 10 V	-	±20V	20.9 pF @ 25 V	20.9 pF @ 25 V	-	-	500mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	Automotive	AEC-Q101	Ytmontering	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG2305UX-7 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 Diodes Incorporated	90 150 I lager	1 : kr 1,32000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,46526 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	4,2A (Ta)	1,8V, 4,5V	52mOhm vid 4,2A, 4,5V	900mV vid 250µA	10.2 nC @ 4.5 V	10.2 nC @ 4.5 V	-	±8V	808 pF @ 15 V	808 pF @ 15 V	-	-	1,4W (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Diodes Incorporated	498 935 I lager	1 : kr 1,41000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,27887 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	200mA (Ta)	10V	3,5Ohm vid 220mA, 10V	1,5V vid 250µA	-	-	-	±20V	50 pF @ 10 V	50 pF @ 10 V	-	-	300mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
T2N7002BK,LM MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3 Toshiba Semiconductor and Storage	477 489 I lager	1 : kr 1,41000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,21156 Remsa och spole (TR)	U-MOSVII-H	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	400mA (Ta)	4,5V, 10V	1,5Ohm vid 100mA, 10V	2,1V vid 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	0.6 nC @ 4.5 V	-	±20V	40 pF @ 10 V	40 pF @ 10 V	-	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84LT1G MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 onsemi	129 867 I lager	1 : kr 1,51000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,53456 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	130mA (Ta)	5V	10Ohm vid 100mA, 5V	2V vid 250µA	-	-	-	±20V	30 pF @ 5 V	30 pF @ 5 V	-	-	225mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002K-7 MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3 Diodes Incorporated	214 409 I lager	1 : kr 1,60000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,28849 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	380mA (Ta)	5V, 10V	2Ohm vid 500mA, 10V	2,5V vid 1mA	0.3 nC @ 4.5 V	0.3 nC @ 4.5 V	-	±20V	50 pF @ 25 V	50 pF @ 25 V	-	-	370mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002NXAKR MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Nexperia USA Inc.	88 144 I lager	1 : kr 1,60000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,30241 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	190mA (Ta), 300mA (Tc)	5V, 10V	4,5Ohm vid 100mA, 10V	2,1V vid 250µA	0.43 nC @ 4.5 V	0.43 nC @ 4.5 V	-	±20V	20 pF @ 10 V	20 pF @ 10 V	-	-	265mW (Ta), 1,33W (Tc)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2045U-7 MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 Diodes Incorporated	56 495 I lager	1 : kr 1,60000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,75259 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	4,3 A (Ta)	1,8V, 4,5V	45mOhm vid 4A, 4,5V	1V vid 250µA	6.8 nC @ 4.5 V	6.8 nC @ 4.5 V	-	±8V	634 pF @ 10 V	634 pF @ 10 V	-	-	800mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS316NH6327XTSA1 MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 Infineon Technologies	431 321 I lager	1 : kr 1,70000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,38465 Remsa och spole (TR)	OptiMOS™	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	1,4 A (Ta)	4,5V, 10V	160mOhm vid 1,4A, 10V	2V vid 3,7µA	0.6 nC @ 5 V	0.6 nC @ 5 V	-	±20V	94 pF @ 15 V	94 pF @ 15 V	-	-	500mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	Automotive	AEC-Q101	Ytmontering	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138-TP MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23 MCC (Micro Commercial Components)	92 090 I lager	1 : kr 1,70000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,32696 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	220mA (Tj)	4,5V, 10V	3,5Ohm vid 220mA, 10V	1,5V vid 1mA	-	-	-	±20V	60 pF @ 25 V	60 pF @ 25 V	-	-	350mW	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Diodes Incorporated	73 776 I lager 4 485 000 Fabrik	1 : kr 1,70000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,35637 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	130mA (Ta)	5V	10Ohm vid 100mA, 5V	2V vid 1mA	-	-	-	±20V	45 pF @ 25 V	45 pF @ 25 V	-	-	300mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002ET1G MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 onsemi	54 552 I lager	1 : kr 1,70000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,29811 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	260mA (Ta)	4,5V, 10V	2,5Ohm vid 240mA, 10V	2,5V vid 250µA	0.81 nC @ 5 V	0.81 nC @ 5 V	-	±20V	26.7 pF @ 25 V	26.7 pF @ 25 V	-	-	300mW (Tj)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138W-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323 Diodes Incorporated	155 987 I lager	1 : kr 1,79000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,32696 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	200mA (Ta)	10V	3,5Ohm vid 220mA, 10V	1,5V vid 250µA	-	-	-	±20V	50 pF @ 10 V	50 pF @ 10 V	-	-	200mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-323	SC-70, SOT-323
2N7002KT1G MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 onsemi	139 782 I lager	1 : kr 1,79000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,32696 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	320mA (Ta)	4,5V, 10V	1,6Ohm vid 500mA, 10V	2,3V vid 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	0.7 nC @ 4.5 V	-	±20V	24.5 pF @ 20 V	24.5 pF @ 20 V	-	-	300mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG2302UKQ-7 MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 3 Diodes Incorporated	40 094 I lager	1 : kr 1,79000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 1,59839 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	2,8 A (Ta)	2,5V, 4,5V	90mOhm vid 3,6A, 4,5V	1V vid 250µA	2.8 nC @ 10 V	2.8 nC @ 10 V	-	±12V	130 pF @ 10 V	130 pF @ 10 V	-	-	660mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	Automotive	AEC-Q101	Ytmontering	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RE1C002UNTCL MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F Rohm Semiconductor	285 964 I lager	1 : kr 1,89000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,25964 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	200mA (Ta)	1,2V, 2,5V	1,2Ohm vid 100mA, 2,5V	1V vid 1mA	-	-	-	±8V	25 pF @ 10 V	25 pF @ 10 V	-	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	EMT3F (SOT-416FL)	SC-89, SOT-490
DMN6140L-7 MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23 Diodes Incorporated	17 721 I lager	1 : kr 1,89000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,59621 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	1,6 A (Ta)	4,5V, 10V	140mOhm vid 1,8A, 10V	3V vid 250µA	8.6 nC @ 10 V	8.6 nC @ 10 V	-	±20V	315 pF @ 40 V	315 pF @ 40 V	-	-	700mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG2302UK-7 MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 Diodes Incorporated	3 623 I lager	1 : kr 1,89000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,45197 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	2,8 A (Ta)	2,5V, 4,5V	90mOhm vid 3,6A, 4,5V	1V vid 250µA	2.8 nC @ 10 V	2.8 nC @ 10 V	-	±12V	130 pF @ 10 V	130 pF @ 10 V	-	-	660mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	Automotive	AEC-Q101	Ytmontering	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTA7002NT1G MOSFET N-CH 30V 154MA SC75 onsemi	136 513 I lager	1 : kr 1,98000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,40389 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	154mA (Tj)	2,5V, 4,5V	7Ohm vid 154mA, 4,5V	1,5V vid 100µA	-	-	-	±10V	20 pF @ 5 V	20 pF @ 5 V	-	-	300mW (Tj)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SC-75, SOT-416	SC-75, SOT-416
ZXM61N03FTA MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 Diodes Incorporated	68 094 I lager	1 : kr 1,98000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 1,44245 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	1,4 A (Ta)	4,5V, 10V	220mOhm vid 910mA, 10V	1V vid 250µA	4.1 nC @ 10 V	4.1 nC @ 10 V	-	±20V	150 pF @ 25 V	150 pF @ 25 V	-	-	625mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG1013T-7 MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523 Diodes Incorporated	40 168 I lager	1 : kr 1,98000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,29698 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	460mA (Ta)	1,8V, 4,5V	700mOhm vid 350mA, 4,5V	1V vid 250µA	0.622 nC @ 4.5 V	0.622 nC @ 4.5 V	-	±6V	59.76 pF @ 16 V	59.76 pF @ 16 V	-	-	270mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-523	SOT-523

Visar

av 44 987

Enstaka FET:ar, MOSFET:ar

Fälteffekttransistorer (FET:ar) och MOSFET:ar (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) är olika typer av transistorer som används för att förstärka eller switcha elektroniska signaler.

En FET fungerar genom att styra flödet av elektrisk ström mellan source- och drain-anslutningarna genom ett elektriskt fält som genereras av en spänning som appliceras på gate-anslutningen. Den största fördelen med FET:ar är deras höga ingångsimpedans, vilket gör dem perfekta för användning i signalförstärkning och analoga kretsar. De används ofta i tillämpningar som förstärkare, oscillatorer och buffertsteg i elektroniska kretsar.

MOSFET:ar, som är en undertyp av FET:ar, har en gate-anslutning som är isolerad från kanalen med ett tunt oxidskikt, vilket förbättrar dess prestanda och gör dem mycket effektiva. MOSFET:ar kan delas in i två olika typer:

MOSFET:ar med n-kanal: där elektroner är de primära bärarna.
MOSFET:ar med p-kanal: där hål är de primära bärarna.

MOSFET:ar är att föredra i många tillämpningar tack vare deras låga strömförbrukning, snabba switchning och förmåga att hantera stora strömmar och spänningar. De är avgörande i digitala och analoga kretsar, inklusive strömförsörjning, motorstyrningar och radiofrekvenstillämpningar.

MOSFET:ars funktion kan delas upp i två olika lägen:

Förbättringsläge: I det här läget är MOSFET:en normalt avstängd när gate-source spänningen är noll. Den kräver en positiv gate-source spänning (för n-kanal) eller en negativ gate-source spänning (för p-kanal) för att slås på.
Tömningsläge: I det här läget är MOSFET:en normalt på när gate-source spänningen är noll. Om man lägger på en gate-source spänning med motsatt polaritet kan den stängas av.

MOSFET:ar har flera fördelar, t.ex:

Hög verkningsgrad: De förbrukar väldigt lite ström och kan växla läge snabbt, vilket gör dem väldigt effektiva i tillämpningar för strömhantering.
Låg resistans vid tillslag: De har låg tillslagsresistans, vilket minimerar strömförluster och värmeutveckling.
Hög ingångsimpedans: Konstruktionen med en isolerad gate ger en extremt hög ingångsimpedans, vilket gör dem perfekta för signalförstärkning med hög impedans.

Sammanfattningsvis är FET:ar, och i synnerhet MOSFET:ar, grundläggande komponenter i modern elektronik, och är kända för sin verkningsgrad, snabbhet och mångsidighet i en stor mängd tillämpningar, allt från signalförstärkning med låg effekt till switchning och styrning med hög effekt.

Enstaka FET:ar, MOSFET:ar

INFORMATION

HJÄLP

KONTAKTA OSS

FÖLJ OSS