P-kanal FET:ar, MOSFET:ar enskilda

Visar

av 6 696

Tillv. artnr.	Tillgängligt antal	Pris	Serie	Förpackning	Produktstatus	FET-typ	Teknologi	Drain till source-spänning (Vdss)	Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	Rds On (max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	FET-funktion	Effektförlust (max)	Arbetstemperatur	Grad	Godkännande	Monteringstyp	Leverantörens enhetsförpackning	Inkapsling/låda
BSS84-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Diodes Incorporated	21 516 I lager 3 195 000 Fabrik	1 : kr 1,98000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,39413 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	130mA (Ta)	5V	10Ohm vid 100mA, 5V	2V vid 1mA	-	±20V	45 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTR5105PT1G MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3 onsemi	182 985 I lager	1 : kr 2,27000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,45867 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	196mA (Ta)	4,5V, 10V	5Ohm vid 100mA, 10V	3V vid 250µA	1 nC @ 5 V	±20V	30.3 pF @ 25 V	-	347mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG1013T-7 MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523 Diodes Incorporated	84 199 I lager	1 : kr 2,36000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,47055 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	460mA (Ta)	1,8V, 4,5V	700mOhm vid 350mA, 4,5V	1V vid 250µA	0.622 nC @ 4.5 V	±6V	59.76 pF @ 16 V	-	270mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-523	SOT-523
BSS84PH6327XTSA2 MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 Infineon Technologies	171 484 I lager	1 : kr 2,46000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,50148 Remsa och spole (TR)	SIPMOS®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	170mA (Ta)	4,5V, 10V	8Ohm vid 170mA, 10V	2V vid 20µA	1.5 nC @ 10 V	±20V	19 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	Automotive	AEC-Q101	Ytmontering	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG2301L-7 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Diodes Incorporated	64 603 I lager	1 : kr 2,46000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,49430 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	120mOhm vid 2,8A, 4,5V	1,2V vid 250µA	5.5 nC @ 4.5 V	±8V	476 pF @ 10 V	-	1,5W (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2004K-7 MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3 Diodes Incorporated	707 401 I lager	1 : kr 2,74000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,56098 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	600mA (Ta)	1,8V, 4,5V	900mOhm vid 430mA, 4,5V	1V vid 250µA	-	±8V	175 pF @ 16 V	-	550mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84LT1G MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 onsemi	111 459 I lager	1 : kr 2,74000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,55935 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	130mA (Ta)	5V	10Ohm vid 100mA, 5V	2V vid 250µA	-	±20V	30 pF @ 5 V	-	225mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG2305UX-7 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 Diodes Incorporated	88 540 I lager	1 : kr 2,84000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,57166 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	4,2A (Ta)	1,8V, 4,5V	52mOhm vid 4,2A, 4,5V	900mV vid 250µA	10.2 nC @ 4.5 V	±8V	808 pF @ 15 V	-	1,4W (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG2305UX-13 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 Diodes Incorporated	55 623 I lager	1 : kr 2,84000 Remsbit (CT) 10 000 : kr 0,47792 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	4,2A (Ta)	1,8V, 4,5V	52mOhm vid 4,2A, 4,5V	900mV vid 250µA	10.2 nC @ 4.5 V	±8V	808 pF @ 15 V	-	1,4W (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP3099L-7 MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 Diodes Incorporated	187 077 I lager	1 : kr 2,93000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,60042 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	3,8 A (Ta)	4,5V, 10V	65mOhm vid 3,8A, 10V	2,1V vid 250µA	5.2 nC @ 4.5 V	±20V	563 pF @ 25 V	-	1,08W (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RZM002P02T2L MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3 Rohm Semiconductor	6 663 I lager	1 : kr 3,02000 Remsbit (CT) 8 000 : kr 0,54158 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	200mA (Ta)	1,2V, 4,5V	1,2Ohm vid 200mA, 4,5V	1V vid 100µA	1.4 nC @ 4.5 V	±10V	115 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	VMT3	SOT-723
DMP2120U-7 MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23 Diodes Incorporated	147 220 I lager	1 : kr 3,21000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,65259 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3,8 A (Ta)	1,8V, 4,5V	62mOhm vid 4,2A, 4,5V	1V vid 250µA	6.3 nC @ 4.5 V	±8V	487 pF @ 20 V	-	800mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84 MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 onsemi	2 555 I lager	1 : kr 3,21000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,67278 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	130mA (Ta)	4,5V, 10V	8Ohm vid 150mA, 10V	2V vid 250µA	1.3 nC @ 5 V	±20V	73 pF @ 25 V	-	225mW (Ta)	-55°C-155°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84W-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323 Diodes Incorporated	96 237 I lager 2 508 000 Fabrik	1 : kr 3,31000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,67379 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	130mA (Ta)	5V	10Ohm vid 100mA, 5V	2V vid 1mA	-	±20V	45 pF @ 25 V	-	200mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-323	SC-70, SOT-323
DMP3068L-7 MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 Diodes Incorporated	94 696 I lager	1 : kr 3,40000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,70966 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	3,3 A (Ta)	1,8V, 10V	72mOhm vid 4,2A, 10V	1,3V vid 250µA	15.9 nC @ 10 V	±12V	708 pF @ 15 V	-	700mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3J372R,LF MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	33 024 I lager	1 : kr 3,40000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,71114 Remsa och spole (TR)	U-MOSVI	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	6 A (Ta)	1,8V, 10V	42mOhm vid 5A, 10V	1,2V vid 1mA	8.2 nC @ 4.5 V	+12V, -6V	560 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	150°C	-	-	Ytmontering	SOT-23F	SOT-23-3 flata ledningar
SSM3J332R,LF MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	45 936 I lager	1 : kr 3,50000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,72560 Remsa och spole (TR)	U-MOSVI	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	6 A (Ta)	1,8V, 10V	42mOhm vid 5A, 10V	1,2V vid 1mA	8.2 nC @ 4.5 V	±12V	560 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23F	SOT-23-3 flata ledningar
DMP2045U-7 MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 Diodes Incorporated	39 427 I lager	1 : kr 3,59000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,75436 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	4,3 A (Ta)	1,8V, 4,5V	45mOhm vid 4A, 4,5V	1V vid 250µA	6.8 nC @ 4.5 V	±8V	634 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTS4173PT1G MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3 onsemi	1 128 I lager	1 : kr 3,59000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,77178 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	1,2 A (Ta)	2,5V, 10V	150mOhm vid 1,2A, 10V	1,5V vid 250µA	10.1 nC @ 10 V	±12V	430 pF @ 15 V	-	290mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SC-70-3 (SOT323)	SC-70, SOT-323
BSS83PH6327XTSA1 MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3 Infineon Technologies	108 296 I lager	1 : kr 3,87000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,82637 Remsa och spole (TR)	SIPMOS®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	330mA (Ta)	4,5V, 10V	2Ohm vid 330mA, 10V	2V vid 80µA	3.57 nC @ 10 V	±20V	78 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	Automotive	AEC-Q101	Ytmontering	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP21D0UT-7 MOSFET P-CH 20V 590MA SOT523 Diodes Incorporated	15 080 I lager 171 000 Fabrik	1 : kr 3,87000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,81119 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	590mA (Ta)	1,8V, 4,5V	495mOhm vid 400mA, 4,5V	700mV vid 250µA (typ.)	1.54 nC @ 8 V	±8V	80 pF @ 10 V	-	240mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-523	SOT-523
AO3421E MOSFET P-CH 30V 3A SOT23-3L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	955 627 I lager	1 : kr 3,97000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,73546 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Inte för nya designer	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	3 A (Ta)	4,5V, 10V	95mOhm vid 3A, 10V	2,5V vid 250µA	8 nC @ 10 V	±20V	215 pF @ 15 V	-	1,4W (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3	3-SMD, SOT-23-3 variant
SSM3J328R,LF MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	171 237 I lager	1 : kr 3,97000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,83929 Remsa och spole (TR)	U-MOSVI	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	6 A (Ta)	1,5V, 4,5V	29,8mOhm vid 3A, 4,5V	1V vid 1mA	12.8 nC @ 4.5 V	±8V	840 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23F	SOT-23-3 flata ledningar
SSM3J356R,LF MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F Toshiba Semiconductor and Storage	67 232 I lager	1 : kr 3,97000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,83929 Remsa och spole (TR)	U-MOSVI	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	2 A (Ta)	4V, 10V	300mOhm vid 1A, 10V	2V vid 1mA	8.3 nC @ 10 V	+10V, -20V	330 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23F	SOT-23-3 flata ledningar
IRLML6402TRPBF MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23 Infineon Technologies	39 053 I lager	1 : kr 3,97000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,85945 Remsa och spole (TR)	HEXFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3,7 A (Ta)	2,5V, 4,5V	65mOhm vid 3,7A, 4,5V	1,2V vid 250µA	12 nC @ 5 V	±12V	633 pF @ 10 V	-	1,3W (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Visar

av 6 696

Enstaka FET:ar, MOSFET:ar

Fälteffekttransistorer (FET:ar) och MOSFET:ar (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) är olika typer av transistorer som används för att förstärka eller switcha elektroniska signaler.

En FET fungerar genom att styra flödet av elektrisk ström mellan source- och drain-anslutningarna genom ett elektriskt fält som genereras av en spänning som appliceras på gate-anslutningen. Den största fördelen med FET:ar är deras höga ingångsimpedans, vilket gör dem perfekta för användning i signalförstärkning och analoga kretsar. De används ofta i tillämpningar som förstärkare, oscillatorer och buffertsteg i elektroniska kretsar.

MOSFET:ar, som är en undertyp av FET:ar, har en gate-anslutning som är isolerad från kanalen med ett tunt oxidskikt, vilket förbättrar dess prestanda och gör dem mycket effektiva. MOSFET:ar kan delas in i två olika typer:

MOSFET:ar med n-kanal: där elektroner är de primära bärarna.
MOSFET:ar med p-kanal: där hål är de primära bärarna.

MOSFET:ar är att föredra i många tillämpningar tack vare deras låga strömförbrukning, snabba switchning och förmåga att hantera stora strömmar och spänningar. De är avgörande i digitala och analoga kretsar, inklusive strömförsörjning, motorstyrningar och radiofrekvenstillämpningar.

MOSFET:ars funktion kan delas upp i två olika lägen:

Förbättringsläge: I det här läget är MOSFET:en normalt avstängd när gate-source spänningen är noll. Den kräver en positiv gate-source spänning (för n-kanal) eller en negativ gate-source spänning (för p-kanal) för att slås på.
Tömningsläge: I det här läget är MOSFET:en normalt på när gate-source spänningen är noll. Om man lägger på en gate-source spänning med motsatt polaritet kan den stängas av.

MOSFET:ar har flera fördelar, t.ex:

Hög verkningsgrad: De förbrukar väldigt lite ström och kan växla läge snabbt, vilket gör dem väldigt effektiva i tillämpningar för strömhantering.
Låg resistans vid tillslag: De har låg tillslagsresistans, vilket minimerar strömförluster och värmeutveckling.
Hög ingångsimpedans: Konstruktionen med en isolerad gate ger en extremt hög ingångsimpedans, vilket gör dem perfekta för signalförstärkning med hög impedans.

Sammanfattningsvis är FET:ar, och i synnerhet MOSFET:ar, grundläggande komponenter i modern elektronik, och är kända för sin verkningsgrad, snabbhet och mångsidighet i en stor mängd tillämpningar, allt från signalförstärkning med låg effekt till switchning och styrning med hög effekt.

Enstaka FET:ar, MOSFET:ar

INFORMATION

HJÄLP

KONTAKTA OSS

FÖLJ OSS