FET:er, MOSFET:er separata

Resultat : 41 773
Tillverkare
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpCharter Engineering Inc.Coherent CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPC
Serie
-*AlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, UltraFET™BSSC2M™
Förpackning
Band (byggindustri)BoxBulkDigi-Reel®PåseRemsa och låda (TB)Remsa och spole (TR)Remsbit (CT)RörTråg
Produktstatus
AktivFöråldradHar utgått hos Digi-KeyInte för nya designerSenaste tidpunkt för inköp
FET-typ
-N-kanalP-kanal
Teknologi
-GaNFET (galliumnitrid)GaNFET (kaskod gallium-nitrid-FET)MOSFET (Metalloxid)SiC (skikttransistor av kiselkarbid)SiCFET (Cascode SiCJFET)SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
-30 V5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
0V0V, 10V0V, 18V0V, 6V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V
Rds On (max) @ Id, Vgs
0,29mOhm vid 50A, 10V0,3mOhm vid 200A, 10V0,35mOhm vid 50A, 10V0.39mOhm @ 100A, 10V0,4 mOhm vid 50A, 10V0,4mOhm vid 150A, 10V0,4mOhm vid 30A, 10V0,42mOhm vid 50A, 10V0,44mOhm vid 88A, 10V0,45mOhm vid 30A, 10V0,45mOhm vid 30A, 7V0,45mOhm vid 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
400 mV vid 1 mA (min.)400 mV vid 250 µA (min.)400mV vid 250µA450 mV vid 1 mA (min.)450 mV vid 100 µA (min.)450 mV vid 2 mA (min.)450 mV vid 250 µA (min.)500 mV vid 250 µA (min.)570mV vid 1mA (typ.)600 mV vid 1 mA (min.)600 mV vid 1,2 mA (min.)600 mV vid 250 µA (min.)
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
0.0007 nC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.21 nC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs (Max)
-20V-12V-10V-10V, +20V-8V-8V, +19V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2.195 pF @ 15 V3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 3 V
FET-funktion
-Schottkydiod (hölje)Schottkydiod (isolerad)StrömavkänningTemperaturavkännande diodUtarmningstyp
Effektförlust (max)
400µW400µW (Ta)100mW100mW (Ta)120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW150mW (Ta)150mW (Tc)155mW (Ta)
Arbetstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-60°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 100°C-55°C ~ 110°C (TA)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 125°C (TA)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 135°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
-AutomotiveMilitary
Godkännande
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/601
Monteringstyp
-ChassimonteringGenomgående hålYtmonteringYtmontering, vätbar sida
Leverantörens enhetsförpackning
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCLGA (3,2x2,2)3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR
Inkapsling/låda
2-DFN frilagt öra3-DFN frilagt öra3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, flata ledningar3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-PowerXFDFN3-SIP3-SMD, ej standard3-SMD, flata ledningar
Lageralternativ
Miljöalternativ
Media
MARKETPLACE-PRODUKT
41 773Resultat

Visar
av 41 773
Jämför
Tillv. artnr.
Tillgängligt antal
Pris
Serie
Förpackning
Produktstatus
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
Rds On (max) @ Id, Vgs
Vgs(th) (Max) @ Id
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
Vgs (Max)
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
FET-funktion
Effektförlust (max)
Arbetstemperatur
Grad
Godkännande
Monteringstyp
Leverantörens enhetsförpackning
Inkapsling/låda
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
28 029
I lager
1 : kr 1,62000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,28678
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
190mA (Ta), 300mA (Tc)
5V, 10V
4,5Ohm vid 100mA, 10V
2,1V vid 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
129 668
I lager
1 : kr 1,83000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,32466
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm vid 500mA, 10V
2,5V vid 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
NX7002AK,215
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
501 776
I lager
1 : kr 2,05000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,35685
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
190mA (Ta)
5V, 10V
4,5Ohm vid 100mA, 10V
2,1V vid 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
413 676
I lager
1 : kr 2,16000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,36526
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm vid 50mA, 5V
2,5V vid 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
97 129
I lager
780 000
Fabrik
1 : kr 2,26000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,38017
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (Metalloxid)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5Ohm vid 220mA, 10V
1,5V vid 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
316 836
I lager
7 698 000
Fabrik
1 : kr 2,37000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,39221
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
380mA (Ta)
5V, 10V
2Ohm vid 500mA, 10V
2,5V vid 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
255 408
I lager
1 : kr 2,37000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,39221
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
320mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6Ohm vid 500mA, 10V
2,3V vid 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1 447 125
I lager
1 : kr 2,48000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,40907
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
200mA (Ta)
1,2V, 2,5V
1,2Ohm vid 100mA, 2,5V
1V vid 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
669 409
I lager
1 : kr 2,48000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,41147
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-kanal
MOSFET (Metalloxid)
50 V
180mA (Ta)
10V
7,5Ohm vid 100mA, 10V
2,1V vid 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automotive
AEC-Q101
Ytmontering
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
451 348
I lager
1 : kr 2,48000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,42588
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5Ohm vid 240mA, 10V
2,5V vid 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
100 889
I lager
1 : kr 2,48000
Remsbit (CT)
10 000 : kr 0,32327
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5Ohm vid 100mA, 10V
2,1V vid 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
CST3
SC-101, SOT-883
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 184 003
I lager
1 : kr 2,59000
Remsbit (CT)
10 000 : kr 0,34057
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Inte för nya designer
N-kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm vid 500mA, 10V
2,4V vid 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automotive
AEC-Q101
Ytmontering
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
461 028
I lager
15 000
Fabrik
1 : kr 2,59000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,43070
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
350mA (Ta)
2,5V, 10V
2,8Ohm vid 250mA, 10V
1,5V vid 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
455 681
I lager
1 : kr 2,59000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,44248
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Inte för nya designer
N-kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm vid 500mA, 10V
2,4V vid 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automotive
AEC-Q101
Ytmontering
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
436 603
I lager
1 : kr 2,59000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,44273
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-kanal
MOSFET (Metalloxid)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm vid 100mA, 5V
2V vid 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
91 492
I lager
1 : kr 2,59000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,43070
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5Ohm vid 240mA, 10V
2,6V vid 250µA
0.81 nC @ 5 V
±30V
40 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
4 630 554
I lager
1 : kr 2,70000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,48873
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
800mA (Ta)
1,5V, 4,5V
235mOhm vid 800mA, 4,5V
1V vid 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SSM
SC-75, SOT-416
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
846 000
I lager
1 : kr 2,70000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,45211
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm vid 300mA, 10V
1,5V vid 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TA)
Automotive
AEC-Q101
Ytmontering
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
AO3416
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
762 113
I lager
1 : kr 2,70000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,80850
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Inte för nya designer
N-kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
6,5 A (Ta)
1,8V, 4,5V
22mOhm vid 6,5A, 4,5V
1V vid 250µA
16 nC @ 4.5 V
±8V
1160 pF @ 10 V
-
1,4W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-23-3
3-SMD, SOT-23-3 variant
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
709 589
I lager
1 : kr 2,70000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,45718
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (Metalloxid)
50 V
200mA (Ta)
0,9V, 4,5V
2,2Ohm vid 200mA, 4,5V
800mV vid 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
UMT3F
SC-85
TO-236AB
BSH105,215
MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB
Nexperia USA Inc.
430 467
I lager
1 : kr 2,70000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,80850
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Inte för nya designer
N-kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
1,05 A (Ta)
1,8V, 4,5V
200mOhm vid 600mA, 4,5V
570mV vid 1mA (typ.)
3.9 nC @ 4.5 V
±8V
152 pF @ 16 V
-
417mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
69 598
I lager
1 : kr 2,70000
Remsbit (CT)
10 000 : kr 0,34538
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
350mA (Ta)
5V, 10V
2,8Ohm vid 200mA, 10V
2,1V vid 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 3,1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-883
SC-101, SOT-883
SOT-23-3
DMG6968U-7
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Diodes Incorporated
559 072
I lager
1 : kr 2,80000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,75352
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Inte för nya designer
N-kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
6,5 A (Ta)
1,8V, 4,5V
25mOhm vid 6,5A, 4,5V
900mV vid 250µA
8.5 nC @ 4.5 V
±12V
151 pF @ 10 V
-
1,3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
818 135
I lager
1 : kr 2,91000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,48823
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
350mA (Ta)
10V
1,6Ohm vid 500mA, 10V
2,1V vid 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW (Ta)
150°C (TJ)
Automotive
AEC-Q101
Ytmontering
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN2005K-7
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Diodes Incorporated
710 899
I lager
342 000
Fabrik
1 : kr 2,91000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,75352
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
300mA (Ta)
1,8V, 2,7V
1,7Ohm vid 200mA, 2,7V
900mV vid 100µA
-
±10V
-
-
350mW (Ta)
-65°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Visar
av 41 773

FET:er, MOSFET:er separata


Diskreta fälteffekttransistorer (FET:ar) används mycket inom effektomvandling, motorstyrning, halvledarbelysning och andra tillämpningar där deras karaktäristiska förmåga att switchas på och av vid höga frekvenser och samtidigt bära avsevärda strömstyrkor kommer till användning. De används nästan universellt för tillämpningar som kräver spänningsklassningar på några hundra volt eller lägre. Över detta blir andra enhetstyper, såsom IGBT, mer konkurrenskraftiga.