IPW65R420CFDFKSA1 Infineon Technologies | Diskreta halvledarprodukter

IPW65R420CFDFKSA1 har utgått och tillverkas inte längre.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended

Infineon Technologies

I lager: 320

Enhetspris : kr 29,58000

Similar

Microchip Technology

I lager: 88

Enhetspris : kr 42,24000

Similar

IXYS

I lager: 0

Enhetspris : kr 0,00000

Similar

Vishay Siliconix

I lager: 0

Enhetspris : kr 18,60440

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPW65R420CFDFKSA1
DigiKeys produktnummer	448-IPW65R420CFDFKSA1-ND
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPW65R420CFDFKSA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 8,7 A (Tc) 83,3W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-3-1
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Föråldrad
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	8,7 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	420mOhm vid 3,4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4,5V vid 340µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	870 pF @ 100 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	83,3W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO247-3-1
Inkapsling/låda	TO-247-3
Basproduktens nummer	IPW65R420