Infineon Technologies FET:ar, MOSFET:ar enskilda

Visar

av 7 882

Tillv. artnr.	Tillgängligt antal	Pris	Serie	Förpackning	Produktstatus	FET-typ	Teknologi	Drain till source-spänning (Vdss)	Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	Rds On (max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	FET-funktion	Effektförlust (max)	Arbetstemperatur	Grad	Godkännande	Monteringstyp	Leverantörens enhetsförpackning	Inkapsling/låda
BSS84PH6327XTSA2 MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 Infineon Technologies	61 308 I lager	1 : kr 2,46000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,50148 Remsa och spole (TR)	SIPMOS®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	170mA (Ta)	4,5V, 10V	8Ohm vid 170mA, 10V	2V vid 20µA	1.5 nC @ 10 V	±20V	19 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	Automotive	AEC-Q101	Ytmontering	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS123NH6327XTSA1 MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Infineon Technologies	98 242 I lager	1 : kr 2,84000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,57469 Remsa och spole (TR)	OptiMOS™	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	190mA (Ta)	4,5V, 10V	6Ohm vid 190mA, 10V	1,8V vid 13µA	0.9 nC @ 10 V	±20V	20.9 pF @ 25 V	-	500mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	Automotive	AEC-Q101	Ytmontering	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS816NWH6327XTSA1 MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3 Infineon Technologies	86 739 I lager	1 : kr 2,84000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,58228 Remsa och spole (TR)	OptiMOS™	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	1,4 A (Ta)	1,8V, 2,5V	160mOhm vid 1,4A, 2,5V	750mV vid 3,7µA	0.6 nC @ 2.5 V	±8V	180 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	Automotive	AEC-Q101	Ytmontering	PG-SOT323	SC-70, SOT-323
BSS806NH6327XTSA1 MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3 Infineon Technologies	468 247 I lager	1 : kr 3,50000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,72992 Remsa och spole (TR)	OptiMOS™	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	2,3 A (Ta)	1,8V, 2,5V	57mOhm vid 2,3A, 2,5V	750mV vid 11µA	1.7 nC @ 2.5 V	±8V	529 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	Automotive	AEC-Q101	Ytmontering	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS806NEH6327XTSA1 MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3 Infineon Technologies	46 793 I lager	1 : kr 3,59000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,74145 Remsa och spole (TR)	HEXFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	2,3 A (Ta)	1,8V, 2,5V	57mOhm vid 2,3A, 2,5V	750mV vid 11µA	1.7 nC @ 2.5 V	±8V	529 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	Automotive	AEC-Q101	Ytmontering	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML2803TRPBF MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23 Infineon Technologies	78 837 I lager	1 : kr 3,78000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,78003 Remsa och spole (TR)	HEXFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	1,2 A (Ta)	4,5V, 10V	250mOhm vid 910mA, 10V	1V vid 250µA	5 nC @ 10 V	±20V	85 pF @ 25 V	-	540mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS83PH6327XTSA1 MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3 Infineon Technologies	105 539 I lager	1 : kr 3,87000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,82637 Remsa och spole (TR)	SIPMOS®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	330mA (Ta)	4,5V, 10V	2Ohm vid 330mA, 10V	2V vid 80µA	3.57 nC @ 10 V	±20V	78 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	Automotive	AEC-Q101	Ytmontering	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML6402TRPBF MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23 Infineon Technologies	38 762 I lager	1 : kr 3,97000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,85945 Remsa och spole (TR)	HEXFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3,7 A (Ta)	2,5V, 4,5V	65mOhm vid 3,7A, 4,5V	1,2V vid 250µA	12 nC @ 5 V	±12V	633 pF @ 10 V	-	1,3W (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML6244TRPBF MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT23 Infineon Technologies	105 053 I lager	1 : kr 4,06000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,84486 Remsa och spole (TR)	HEXFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	6,3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	21mOhm vid 6,3A, 4,5V	1,1V vid 10µA	8.9 nC @ 4.5 V	±12V	700 pF @ 16 V	-	1,3W (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML6401TRPBF MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23 Infineon Technologies	69 175 I lager	1 : kr 4,06000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,87101 Remsa och spole (TR)	HEXFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	12 V	4,3 A (Ta)	1,8V, 4,5V	50mOhm vid 4,3A, 4,5V	950mV vid 250µA	15 nC @ 5 V	±8V	830 pF @ 10 V	-	1,3W (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML6346TRPBF MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23 Infineon Technologies	14 798 I lager	1 : kr 4,16000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,87274 Remsa och spole (TR)	HEXFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	3,4 A (Ta)	2,5V, 4,5V	63mOhm vid 3,4A, 4,5V	1,1V vid 10µA	2.9 nC @ 4.5 V	±12V	270 pF @ 24 V	-	1,3W (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML5203TRPBF MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23 Infineon Technologies	28 769 I lager	1 : kr 4,35000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,96088 Remsa och spole (TR)	HEXFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	3 A (Ta)	4,5V, 10V	98mOhm vid 3A, 10V	2,5V vid 250µA	14 nC @ 10 V	±20V	510 pF @ 25 V	-	1,25W (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML0040TRPBF MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23 Infineon Technologies	54 718 I lager	1 : kr 4,44000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,93892 Remsa och spole (TR)	HEXFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	3,6 A (Ta)	4,5V, 10V	56mOhm vid 3,6A, 10V	2,5V vid 25µA	3.9 nC @ 4.5 V	±16V	266 pF @ 25 V	-	1,3W (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML0030TRPBF MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23 Infineon Technologies	90 622 I lager	1 : kr 4,73000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 1,02167 Remsa och spole (TR)	HEXFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	5,3 A (Ta)	4,5V, 10V	27mOhm vid 5,2A, 10V	2,3V vid 25µA	2.6 nC @ 4.5 V	±20V	382 pF @ 15 V	-	1,3W (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML2502TRPBF MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 Infineon Technologies	27 793 I lager	1 : kr 4,91000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 1,07122 Remsa och spole (TR)	HEXFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	4,2A (Ta)	2,5V, 4,5V	45mOhm vid 4,2A, 4,5V	1,2V vid 250µA	12 nC @ 5 V	±12V	740 pF @ 15 V	-	1,25W (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML0100TRPBF MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23 Infineon Technologies	2 419 I lager	1 : kr 5,20000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 1,12562 Remsa och spole (TR)	HEXFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	1,6 A (Ta)	4,5V, 10V	220mOhm vid 1,6A, 10V	2,5V vid 25µA	2.5 nC @ 4.5 V	±16V	290 pF @ 25 V	-	1,3W (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS169H6327XTSA1 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Infineon Technologies	100 565 I lager	1 : kr 5,48000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 1,21083 Remsa och spole (TR)	SIPMOS®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal, tömningsläge	MOSFET (Metalloxid)	100 V	170mA (Ta)	0V, 10V	6Ohm vid 170mA, 10V	1,8V vid 50µA	2.8 nC @ 7 V	±20V	68 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	Automotive	AEC-Q101	Ytmontering	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS126H6327XTSA2 MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Infineon Technologies	28 224 I lager	1 : kr 5,86000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 1,29314 Remsa och spole (TR)	SIPMOS®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal, tömningsläge	MOSFET (Metalloxid)	600 V	21mA (Ta)	0V, 10V	500Ohm vid 16mA, 10V	2,7V vid 8µA	2.1 nC @ 5 V	±20V	28 pF @ 25 V	-	500mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	Automotive	AEC-Q101	Ytmontering	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLMS1503TRPBF MOSFET N-CH 30V 3.2A MICRO6 Infineon Technologies	34 564 I lager	1 : kr 6,24000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 1,38061 Remsa och spole (TR)	HEXFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	3,2 A (Ta)	4,5V, 10V	100mOhm vid 2,2A, 10V	1V vid 250µA	9.6 nC @ 10 V	±20V	210 pF @ 25 V	-	1,7W (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	Micro6™(TSOP-6)	SOT-23-6
IPN60R2K1CEATMA1 MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223 Infineon Technologies	54 536 I lager	1 : kr 6,99000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 1,59138 Remsa och spole (TR)	CoolMOS™ CE	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	3,7 A (Tc)	10V	2,1Ohm vid 800mA, 10V	3,5V vid 60µA	6.7 nC @ 10 V	±20V	140 pF @ 100 V	-	5W (Tc)	-40°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	PG-SOT223-3	TO-261-4, TO-261AA
IPD50R2K0CEAUMA1 MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252-3 Infineon Technologies	24 647 I lager	1 : kr 7,09000 Remsbit (CT) 2 500 : kr 1,64067 Remsa och spole (TR)	CoolMOS™ CE	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Inte för nya designer	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	500 V	2,4 A (Tc)	13V	2Ohm vid 600mA, 13V	3,5V vid 50µA	6 nC @ 10 V	±20V	124 pF @ 100 V	-	33W (Tc)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	PG-TO252-3	TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63
IRLMS6802TRPBF MOSFET P-CH 20V 5.6A MICRO6 Infineon Technologies	13 452 I lager	1 : kr 7,09000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 1,67120 Remsa och spole (TR)	HEXFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Senaste tidpunkt för inköp	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	5,6 A (Ta)	2,5V, 4,5V	50mOhm vid 5,1A, 4,5V	1,2V vid 250µA	16 nC @ 5 V	±12V	1079 pF @ 10 V	-	2W (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	Micro6™(TSOP-6)	SOT-23-6
IRLL014NTRPBF MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 Infineon Technologies	30 426 I lager	1 : kr 7,75000 Remsbit (CT) 2 500 : kr 1,83440 Remsa och spole (TR)	HEXFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	55 V	2 A (Ta)	4V, 10V	140mOhm vid 2A, 10V	2V vid 250µA	14 nC @ 10 V	±16V	230 pF @ 25 V	-	1W (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
IPD60R1K5CEAUMA1 MOSFET N-CH 600V 5A TO252 Infineon Technologies	20 317 I lager	1 : kr 8,51000 Remsbit (CT) 2 500 : kr 2,04649 Remsa och spole (TR)	CoolMOS™ CE	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	5 A (Tc)	10V	1,5Ohm vid 1,1A, 10V	3,5V vid 90µA	9.4 nC @ 10 V	±20V	200 pF @ 100 V	-	49W (Tc)	-40°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	PG-TO252-3	TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63
IRF8714TRPBF MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Infineon Technologies	3 116 I lager	1 : kr 8,51000 Remsbit (CT) 4 000 : kr 1,91200 Remsa och spole (TR)	HEXFET®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	14 A (Ta)	4,5V, 10V	8,7mOhm vid 14A, 10V	2,35V vid 25µA	12 nC @ 4.5 V	±20V	1020 pF @ 15 V	-	2,5W (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	8-SO	8-SOIC (Bredd 0,154", 3,90mm)

Visar

av 7 882

Enstaka FET:ar, MOSFET:ar

Fälteffekttransistorer (FET:ar) och MOSFET:ar (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) är olika typer av transistorer som används för att förstärka eller switcha elektroniska signaler.

En FET fungerar genom att styra flödet av elektrisk ström mellan source- och drain-anslutningarna genom ett elektriskt fält som genereras av en spänning som appliceras på gate-anslutningen. Den största fördelen med FET:ar är deras höga ingångsimpedans, vilket gör dem perfekta för användning i signalförstärkning och analoga kretsar. De används ofta i tillämpningar som förstärkare, oscillatorer och buffertsteg i elektroniska kretsar.

MOSFET:ar, som är en undertyp av FET:ar, har en gate-anslutning som är isolerad från kanalen med ett tunt oxidskikt, vilket förbättrar dess prestanda och gör dem mycket effektiva. MOSFET:ar kan delas in i två olika typer:

MOSFET:ar med n-kanal: där elektroner är de primära bärarna.
MOSFET:ar med p-kanal: där hål är de primära bärarna.

MOSFET:ar är att föredra i många tillämpningar tack vare deras låga strömförbrukning, snabba switchning och förmåga att hantera stora strömmar och spänningar. De är avgörande i digitala och analoga kretsar, inklusive strömförsörjning, motorstyrningar och radiofrekvenstillämpningar.

MOSFET:ars funktion kan delas upp i två olika lägen:

Förbättringsläge: I det här läget är MOSFET:en normalt avstängd när gate-source spänningen är noll. Den kräver en positiv gate-source spänning (för n-kanal) eller en negativ gate-source spänning (för p-kanal) för att slås på.
Tömningsläge: I det här läget är MOSFET:en normalt på när gate-source spänningen är noll. Om man lägger på en gate-source spänning med motsatt polaritet kan den stängas av.

MOSFET:ar har flera fördelar, t.ex:

Hög verkningsgrad: De förbrukar väldigt lite ström och kan växla läge snabbt, vilket gör dem väldigt effektiva i tillämpningar för strömhantering.
Låg resistans vid tillslag: De har låg tillslagsresistans, vilket minimerar strömförluster och värmeutveckling.
Hög ingångsimpedans: Konstruktionen med en isolerad gate ger en extremt hög ingångsimpedans, vilket gör dem perfekta för signalförstärkning med hög impedans.

Sammanfattningsvis är FET:ar, och i synnerhet MOSFET:ar, grundläggande komponenter i modern elektronik, och är kända för sin verkningsgrad, snabbhet och mångsidighet i en stor mängd tillämpningar, allt från signalförstärkning med låg effekt till switchning och styrning med hög effekt.

Enstaka FET:ar, MOSFET:ar

INFORMATION

HJÄLP

KONTAKTA OSS

FÖLJ OSS