SCT2120AFC Rohm Semiconductor | Diskreta halvledarprodukter

SCT2120AFC
DigiKeys produktnummer	SCT2120AFC-ND
Tillverkare	Rohm Semiconductor
Tillverkarens produktnummer	SCT2120AFC
Beskrivning	SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 29 A (Tc) 165W (Tc) Genomgående hål TO-220AB
Datablad	Datablad

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Föråldrad
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	29 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	18V
Rds On (max) @ Id, Vgs	156mOhm vid 10A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 3,3mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	61 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+22V, -6V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1200 pF @ 500 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	165W (Tc)
Arbetstemperatur	175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	TO-220AB
Inkapsling/låda	TO-220-3
Basproduktens nummer	SCT2120

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Jag samtycker till att få e-postmeddelanden med marknadsföring från DigiKey (valfritt). Jag förstår att jag kan dra tillbaka mitt samtycke närsomhelst. Se vår Integritetspolicy.

INFORMATION

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

HJÄLP

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

KONTAKTA OSS

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

SCT2120AFC

INFORMATION

HJÄLP

KONTAKTA OSS

FÖLJ OSS