N-kanal 650 V 20,7 A (Tc) 208W (Tc) Genomgående hål PG-TO220-3
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SPP20N65C3XKSA1

DigiKeys produktnummer
SPP20N65C3XKSA1-ND
Tillverkare
Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer
SPP20N65C3XKSA1
Beskrivning
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 20,7 A (Tc) 208W (Tc) Genomgående hål PG-TO220-3
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
SPP20N65C3XKSA1 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Inte för nya designer
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
20,7 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
190mOhm vid 13,1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3,9V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2400 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
208W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO220-3
Inkapsling/låda
TO-220-3
Basproduktens nummer
SPP20N65
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 349
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Rekommenderas ej för nya konstruktioner. Miniminivåer kan förekomma. Visa Ersättningsartiklar.
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 45,40000kr 45,40
50kr 23,55080kr 1 177,54
100kr 21,43780kr 2 143,78
500kr 17,73576kr 8 867,88
1 000kr 16,54725kr 16 547,25
2 000kr 16,53345kr 33 066,90
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 45,40000
Enhetspris inkl. moms:kr 56,75000