N-kanal 650 V 30 A (Tc) 307W (Tc) Genomgående hål TO-220AB
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

R6530KNX3C16

DigiKeys produktnummer
846-R6530KNX3C16-ND
Tillverkare
Rohm Semiconductor
Tillverkarens produktnummer
R6530KNX3C16
Beskrivning
MOSFET N-CH 650V 30A TO220AB
Tillverkarens standardleveranstid
18 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 30 A (Tc) 307W (Tc) Genomgående hål TO-220AB
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
30 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
140mOhm vid 14,5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V vid 960µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2350 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
307W (Tc)
Arbetstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-220AB
Inkapsling/låda
TO-220-3
Basproduktens nummer
R6530
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 1 253
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
När det tillgängliga lagret av denna produkt har tagit slut, gäller tillverkarens standardiserade förpackning och ledtid.
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 56,38000kr 56,38
50kr 30,54100kr 1 527,05
100kr 29,26680kr 2 926,68
500kr 26,36586kr 13 182,93
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 56,38000
Enhetspris inkl. moms:kr 70,47500