IPP120N10S403AKSA1 Infineon Technologies | Diskreta halvledarprodukter

IPP120N10S403AKSA1 har utgått och tillverkas inte längre.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended

Infineon Technologies

I lager: 1 868

Enhetspris : kr 39,60000

Similar

onsemi

I lager: 1 465

Enhetspris : kr 27,41000

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPP120N10S403AKSA1
DigiKeys produktnummer	IPP120N10S403AKSA1-ND
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPP120N10S403AKSA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 120 A (Tc) 250W (Tc) Genomgående hål PG-TO220-3-1
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Föråldrad
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	100 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	120 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	3,9mOhm vid 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,5V vid 180µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	140 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	10120 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	250W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO220-3-1
Inkapsling/låda	TO-220-3
Basproduktens nummer	IPP120