Name: SQD25N15-52_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD25N15-52_GE3TR-ND
Price: 56.7 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

SQD25N15-52_GE3
DigiKeys produktnummer	SQD25N15-52_GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SQD25N15-52_GE3CT-ND - Remsbit (CT) SQD25N15-52_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SQD25N15-52_GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Tillverkarens standardleveranstid	25 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 150 V 25 A (Tc) 107W (Tc) Ytmontering TO-252AA
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SQD25N15-52_GE3 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	150 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	25 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	52mOhm vid 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	51 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2200 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	107W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	TO-252AA
Inkapsling/låda	TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63
Basproduktens nummer	SQD25

Enhetspris exkl. moms:	kr 45,36000
Enhetspris inkl. moms:	kr 56,70000

SQD25N15-52_GE3