Name: SISS32LDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS32LDN-T1-GE3TR-ND
Price: 20.675 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SISS32LDN-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	742-SISS32LDN-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SISS32LDN-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SISS32LDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SISS32LDN-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
Tillverkarens standardleveranstid	29 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 80 V 17,4A (Ta), 63A (Tc) 5W (Ta), 65,7W (Tc) Ytmontering PowerPAK® 1212-8SH
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	80 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	17,4A (Ta), 63A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	7,2mOhm vid 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	57 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2550 pF @ 40 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	5W (Ta), 65,7W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PowerPAK® 1212-8SH
Inkapsling/låda	PowerPAK® 1212-8SH
Basproduktens nummer	SISS32