Name: SIR122DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR122DP-T1-RE3TR-ND
Price: 17.8375 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SIR122DP-T1-RE3
DigiKeys produktnummer	SIR122DP-T1-RE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SIR122DP-T1-RE3CT-ND - Remsbit (CT) SIR122DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIR122DP-T1-RE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK
Tillverkarens standardleveranstid	29 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 80 V 16,7 A (Ta), 59,6 A (Tc) 5,2W (Ta), 65,7W (Tc) Ytmontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	80 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	16,7 A (Ta), 59,6 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	7,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	7,4mOhm vid 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,8V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1950 pF @ 40 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	5,2W (Ta), 65,7W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PowerPAK® SO-8
Inkapsling/låda	PowerPAK® SO-8
Basproduktens nummer	SIR122