Name: SIDR626DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIDR626DP-T1-GE3TR-ND
Price: 41.8125 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SIDR626DP-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SIDR626DP-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SIDR626DP-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SIDR626DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIDR626DP-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK
Tillverkarens standardleveranstid	29 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 60 V 42,8 A (Ta), 100 A (Tc) 6,25W (Ta), 125W (Tc) Ytmontering PowerPAK® SO-8DC
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	60 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	42,8 A (Ta), 100 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	1,7mOhm vid 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	102 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	5130 pF @ 30 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	6,25W (Ta), 125W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PowerPAK® SO-8DC
Inkapsling/låda	PowerPAK® SO-8
Basproduktens nummer	SIDR626