Name: SIDR5802EP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR5802EP-T1-RE3TR-ND
Price: 42.175 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

SIDR5802EP-T1-RE3
DigiKeys produktnummer	742-SIDR5802EP-T1-RE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SIDR5802EP-T1-RE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SIDR5802EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIDR5802EP-T1-RE3
Beskrivning	N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Tillverkarens standardleveranstid	33 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 80 V 34,2A (Ta), 153A (Tc) 7,5W (Ta), 150W (Tc) Ytmontering PowerPAK® SO-8DC
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SIDR5802EP-T1-RE3 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen V
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	80 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	34,2A (Ta), 153A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	7,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	2,9mOhm vid 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	3020 pF @ 40 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	7,5W (Ta), 150W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PowerPAK® SO-8DC
Inkapsling/låda	PowerPAK® SO-8
Basproduktens nummer	SIDR5802

Enhetspris exkl. moms:	kr 33,74000
Enhetspris inkl. moms:	kr 42,17500

SIDR5802EP-T1-RE3