Name: S2M0080120N
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S2M0080120N-ND
Price: 258.225 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

S2M0080120N
DigiKeys produktnummer	1655-S2M0080120N-ND
Tillverkare	SMC Diode Solutions
Tillverkarens produktnummer	S2M0080120N
Beskrivning	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Tillverkarens standardleveranstid	12 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 1200 V 36 A (Tc) 176W (Tc) Chassimontering SOT-227
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	SMC Diode Solutions
Serie	-
Förpackning	Bulk
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	36 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	20V
Rds On (max) @ Id, Vgs	100mOhm vid 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 10mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	54 nC @ 20 V
Vgs (Max)	+20V, -5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1324 pF @ 1000 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	176W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Chassimontering
Leverantörens enhetsförpackning	SOT-227
Inkapsling/låda	SOT-227-4, miniBLOC