Name: SPD04P10PLGBTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD04P10PLGBTMA1TR-ND
Price: 14.8875 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

SPD04P10PLGBTMA1
DigiKeys produktnummer	SPD04P10PLGBTMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) SPD04P10PLGBTMA1CT-ND - Remsbit (CT) SPD04P10PLGBTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	SPD04P10PLGBTMA1
Beskrivning	MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3
Tillverkarens standardleveranstid	26 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 100 V 4,2 A (Tc) 38W (Tc) Ytmontering PG-TO252-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SPD04P10PLGBTMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	P-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	100 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	4,2 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	850mOhm vid 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V vid 380µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	372 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	38W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO252-3
Inkapsling/låda	TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63
Basproduktens nummer	SPD04P10

Enhetspris exkl. moms:	kr 11,91000
Enhetspris inkl. moms:	kr 14,88750

SPD04P10PLGBTMA1