Name: ISC028N03LF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC028N03LF2SATMA1TR-ND
Price: 7.8 SEK
Availability: InStock

Ny produkt

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

ISC028N03LF2SATMA1
DigiKeys produktnummer	448-ISC028N03LF2SATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-ISC028N03LF2SATMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-ISC028N03LF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	ISC028N03LF2SATMA1
Beskrivning	ISC028N03LF2SATMA1
Tillverkarens standardleveranstid	10 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 30 V 24A (Ta), 128A (Tc) 3W (Ta), 83W (Tc) Ytmontering PG-TDSON-8-62
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	ISC028N03LF2SATMA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	StrongIRFET™ 2
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	30 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	24A (Ta), 128A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	2,8mOhm vid 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,35V vid 30µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1780 pF @ 15 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	3W (Ta), 83W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TDSON-8-62
Inkapsling/låda	8-PowerTDFN

Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 4 990

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Remsbit (CT) & Digi-Reel®