Name: IQE008N03LM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE008N03LM5ATMA1TR-ND
Price: 33.3125 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IQE008N03LM5ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IQE008N03LM5ATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IQE008N03LM5ATMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IQE008N03LM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IQE008N03LM5ATMA1
Beskrivning	TRENCH <= 40V PG-TSON-8
Tillverkarens standardleveranstid	20 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 30 V 27A (Ta), 253A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Ytmontering PG-TSON-8-4
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IQE008N03LM5ATMA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	30 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	27A (Ta), 253A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	0,85mOhm vid 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±16V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	5700 pF @ 15 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	2,1W (Ta), 89W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TSON-8-4
Inkapsling/låda	8-PowerTDFN
Basproduktens nummer	IQE008N