IPB123N10N3GATMA1 Infineon Technologies | Diskreta halvledarprodukter

IPB123N10N3GATMA1
DigiKeys produktnummer	IPB123N10N3GATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) IPB123N10N3GATMA1CT-ND - Remsbit (CT) IPB123N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPB123N10N3GATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 58 A (Tc) 94W (Tc) Ytmontering PG-TO263-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPB123N10N3GATMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Föråldrad
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	100 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	58 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	12,3mOhm vid 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,5V vid 46µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2500 pF @ 50 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	94W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO263-3
Inkapsling/låda	TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB
Basproduktens nummer	IPB123

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 20,32000	kr 20,32
10	kr 13,04100	kr 130,41

Enhetspris exkl. moms:	kr 20,32000
Enhetspris inkl. moms:	kr 25,40000

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

IPB123N10N3GATMA1