Name: IPB022N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB022N12NM6ATMA1TR-ND
Price: 80.9125 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPB022N12NM6ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IPB022N12NM6ATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IPB022N12NM6ATMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IPB022N12NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPB022N12NM6ATMA1
Beskrivning	TRENCH >=100V
Tillverkarens standardleveranstid	23 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 120 V 29A (Ta), 167A (Tc) 3,8W (Ta), 395W (Tc) Ytmontering PG-TO263-3-2
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPB022N12NM6ATMA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	120 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	29A (Ta), 167A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	8V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	2,2mOhm vid 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,6V vid 275µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	141 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	11000 pF @ 60 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	3,8W (Ta), 395W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO263-3-2
Inkapsling/låda	TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB