Name: IMT65R50M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R50M2HXUMA1TR-ND
Price: 88.95 SEK
Availability: InStock

Ny produkt

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IMT65R50M2HXUMA1
DigiKeys produktnummer	448-IMT65R50M2HXUMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IMT65R50M2HXUMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IMT65R50M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IMT65R50M2HXUMA1
Beskrivning	SICFET N-CH 650V 48.1A PG-HSOF
Tillverkarens standardleveranstid	13 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 48,1A (Tc) 237W (Tc) Ytmontering PG-HSOF-8-2
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMT65R50M2HXUMA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ G2
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	48,1A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	15V, 18V
Rds On (max) @ Id, Vgs	62mOhm vid 18,2A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	5,6V vid 3,7mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	22 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+25V, -10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	790 pF @ 400 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	237W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-HSOF-8-2
Inkapsling/låda	8-PowerSFN

Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 2 000

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Remsbit (CT) & Digi-Reel®