Name: IMDQ75R090M1HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMDQ75R090M1HXUMA1TR-ND
Price: 74.65 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IMDQ75R090M1HXUMA1
DigiKeys produktnummer	448-IMDQ75R090M1HXUMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IMDQ75R090M1HXUMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IMDQ75R090M1HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IMDQ75R090M1HXUMA1
Beskrivning	IMDQ75R090M1HXUMA1
Tillverkarens standardleveranstid	23 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 750 V 24A (Tj) 128W (Tc) Ytmontering PG-HDSOP-22-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMDQ75R090M1HXUMA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	750 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	24A (Tj)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	15V, 20V
Rds On (max) @ Id, Vgs	83mOhm vid 7,4A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id	5,6V vid 2,6mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+20V, -2V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	542 pF @ 500 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	128W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-HDSOP-22-1
Inkapsling/låda	22-PowerBSOP-modul