Name: IGC037S12S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGC037S12S1XTMA1TR-ND
Price: 61.2375 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IGC037S12S1XTMA1
DigiKeys produktnummer	448-IGC037S12S1XTMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IGC037S12S1XTMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IGC037S12S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IGC037S12S1XTMA1
Beskrivning	GANFET N-CH 120V 19A 6TDFN
Tillverkarens standardleveranstid	29 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 120 V 19 A (Ta), 71 A (Tc) 3,3W (Ta), 45W (Tc) Ytmontering PG-TSON-6-2
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IGC037S12S1XTMA1 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Rds On (max) @ Id, Vgs 3,7mOhm vid 18A, 5V
Tillv. Infineon Technologies	Vgs(th) (Max) @ Id 2,9V vid 7mA
Serie CoolGaN™	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 5 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max) ±6,5V
Artikelstatus Aktiv	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 60 V
FET-typ N-kanal	Effektförlust (max) 3,3W (Ta), 45W (Tc)
Teknologi GaNFET (galliumnitrid)	Arbetstemperatur -40°C-150°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss) 120 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 19 A (Ta), 71 A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning PG-TSON-6-2
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 5V	Inkapsling/låda 6-PowerTDFN