Name: IGB110S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND
Price: 32.05 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IGB110S10S1XTMA1
DigiKeys produktnummer	448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IGB110S10S1XTMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IGB110S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IGB110S10S1XTMA1
Beskrivning	GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN
Tillverkarens standardleveranstid	25 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 9 A (Ta), 23 A (Tc) 2,5W (Ta), 15W (Tc) Ytmontering PG-TSON-4-2
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IGB110S10S1XTMA1 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Rds On (max) @ Id, Vgs 11mOhm vid 10A, 5V
Tillv. Infineon Technologies	Vgs(th) (Max) @ Id 2,9V vid 3mA
Serie CoolGaN™	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 3.4 nC @ 5 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max) ±6,5V
Artikelstatus Aktiv	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 50 V
FET-typ N-kanal	Effektförlust (max) 2,5W (Ta), 15W (Tc)
Teknologi GaNFET (galliumnitrid)	Arbetstemperatur -40°C-150°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss) 100 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 9 A (Ta), 23 A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning PG-TSON-4-2
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 5V	Inkapsling/låda 4-PowerTDFN