Name: IGB070S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB070S10S1XTMA1TR-ND
Price: 38.55 SEK
Availability: InStock

IGB070S10S1XTMA1
DigiKeys produktnummer	448-IGB070S10S1XTMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IGB070S10S1XTMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IGB070S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IGB070S10S1XTMA1
Beskrivning	GANFET N-CH 100V 13A 4TDFN
Tillverkarens standardleveranstid	27 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 13 A (Ta), 38 A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) Ytmontering PG-TSON-4-2
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IGB070S10S1XTMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	GaNFET (galliumnitrid)
Drain till source-spänning (Vdss)	100 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	13 A (Ta), 38 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	5V
Rds On (max) @ Id, Vgs	7mOhm vid 13A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,9V vid 4,5mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	7.9 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±6,5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	740 pF @ 50 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	2,6W (Ta), 23W (Tc)
Arbetstemperatur	-40°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TSON-4-2
Inkapsling/låda	4-PowerTDFN

Enhetspris exkl. moms:	kr 30,84000
Enhetspris inkl. moms:	kr 38,55000

IGB070S10S1XTMA1