Name: IGC025S08S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGC025S08S1XTMA1TR-ND
Price: 50.8 SEK
Availability: InStock

Ny produkt

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IGC025S08S1XTMA1
DigiKeys produktnummer	448-IGC025S08S1XTMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IGC025S08S1XTMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IGC025S08S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IGC025S08S1XTMA1
Beskrivning	MV GAN DISCRETES
Tillverkarens standardleveranstid	20 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 80 V 23A (Ta), 86A (Tc) 3,3W (Ta), 45W (Tc) Ytmontering PG-TSON-6-2
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IGC025S08S1XTMA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	GaNFET (galliumnitrid)
Drain till source-spänning (Vdss)	80 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	23A (Ta), 86A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	5V
Rds On (max) @ Id, Vgs	2,5mOhm vid 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.9V @ 10mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±6,5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1250 pF @ 40 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	3,3W (Ta), 45W (Tc)
Arbetstemperatur	-40°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TSON-6-2
Inkapsling/låda	6-PowerTDFN