Name: IGB110S101XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB110S101XTMA1TR-ND
Price: 25.95 SEK
Availability: InStock

IGB110S101XTMA1
DigiKeys produktnummer	448-IGB110S101XTMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IGB110S101XTMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IGB110S101XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IGB110S101XTMA1
Beskrivning	GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN
Tillverkarens standardleveranstid	25 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 9 A (Ta), 23 A (Tc) 2,5W (Ta), 15W (Tc) Ytmontering PG-VSON-4-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IGB110S101XTMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	GaNFET (galliumnitrid)
Drain till source-spänning (Vdss)	100 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	9 A (Ta), 23 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	5V
Rds On (max) @ Id, Vgs	11mOhm vid 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,9V vid 3mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	4.4 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±6,5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	340 pF @ 50 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	2,5W (Ta), 15W (Tc)
Arbetstemperatur	-40°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-VSON-4-3
Inkapsling/låda	4-PowerVDFN

Enhetspris exkl. moms:	kr 20,76000
Enhetspris inkl. moms:	kr 25,95000

IGB110S101XTMA1