Name: IGC033S101XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGC033S101XTMA1TR-ND
Price: 50.8 SEK
Availability: InStock

Ny produkt

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IGC033S101XTMA1
DigiKeys produktnummer	448-IGC033S101XTMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IGC033S101XTMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IGC033S101XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IGC033S101XTMA1
Beskrivning	MV GAN DISCRETES
Tillverkarens standardleveranstid	20 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 21A (Ta), 76A (Tc) 3,3W (Ta), 45W (Tc) Ytmontering PG-VSON-6-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IGC033S101XTMA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	GaNFET (galliumnitrid)
Drain till source-spänning (Vdss)	100 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	21A (Ta), 76A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	5V
Rds On (max) @ Id, Vgs	3,3mOhm vid 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,9V vid 8mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	14 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±6,5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1400 pF @ 50 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	3,3W (Ta), 45W (Tc)
Arbetstemperatur	-40°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-VSON-6-3
Inkapsling/låda	6-PowerVDFN