Name: IAUTN06S5N008ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN06S5N008ATMA1TR-ND
Price: 74.65 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IAUTN06S5N008ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IAUTN06S5N008ATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IAUTN06S5N008ATMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IAUTN06S5N008ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IAUTN06S5N008ATMA1
Beskrivning	MOSFET_)40V 60V)
Tillverkarens standardleveranstid	18 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 60 V 60A (Ta), 350A (Tj) 258W (Tc) Ytmontering PG-HSOF-8-1
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	60 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	60A (Ta), 350A (Tj)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	7V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	0,76mOhm vid 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V vid 275µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	273 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	20280 pF @ 30 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	258W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-HSOF-8-1
Inkapsling/låda	8-PowerSFN