Name: IAUAN04S7N007AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUAN04S7N007AUMA1TR-ND
Price: 37.45 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IAUAN04S7N007AUMA1
DigiKeys produktnummer	448-IAUAN04S7N007AUMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IAUAN04S7N007AUMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IAUAN04S7N007AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IAUAN04S7N007AUMA1
Beskrivning	IAUAN04S7N007AUMA1
Tillverkarens standardleveranstid	18 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 40 V 50A (Ta), 330A (Tj) 149W (Tc) Ytmontering PG-HSOF-5-2
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IAUAN04S7N007AUMA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	40 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	50A (Ta), 330A (Tj)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	7V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	0,72mOhm vid 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V vid 73µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	94 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	6460 pF @ 20 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	149W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-HSOF-5-2
Inkapsling/låda	5-PowerSFN