Name: GS66502BMRXUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-GS66502BMRXUSA1TR-ND
Price: 137.85 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

GS66502BMRXUSA1
DigiKeys produktnummer	448-GS66502BMRXUSA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-GS66502BMRXUSA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-GS66502BMRXUSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	GS66502BMRXUSA1
Beskrivning	GS66502B-MR
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 7,5 A (Tc) Ytmontering
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	-
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Senaste tidpunkt för inköp
FET-typ	N-kanal
Teknologi	GaNFET (galliumnitrid)
Drain till source-spänning (Vdss)	650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	7,5 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	6V
Rds On (max) @ Id, Vgs	260mOhm vid 2,25A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,6V vid 1,75mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	1.6 nC @ 6 V
Vgs (Max)	+7V, -10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	60 pF @ 400 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	-
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	-
Inkapsling/låda	3-SMD, utan ledning