Name: BSP125H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP125H6327XTSA1TR-ND
Price: 11.925 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

BSP125H6327XTSA1
DigiKeys produktnummer	BSP125H6327XTSA1TR-ND - Remsa och spole (TR) BSP125H6327XTSA1CT-ND - Remsbit (CT) BSP125H6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	BSP125H6327XTSA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Tillverkarens standardleveranstid	10 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 600 V 120mA (Ta) 1,8W (Ta) Ytmontering PG-SOT223-4
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSP125H6327XTSA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	600 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	120mA (Ta)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	45Ohm vid 120mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,3V vid 94µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	6.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	150 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	1,8W (Ta)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-SOT223-4
Inkapsling/låda	TO-261-4, TO-261AA
Basproduktens nummer	BSP125

Enhetspris exkl. moms:	kr 9,54000
Enhetspris inkl. moms:	kr 11,92500

BSP125H6327XTSA1