Name: AIMZHN120R080M1TXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMZHN120R080M1TXKSA1-ND
Price: 120.4875 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

AIMZHN120R080M1TXKSA1
DigiKeys produktnummer	448-AIMZHN120R080M1TXKSA1-ND
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	AIMZHN120R080M1TXKSA1
Beskrivning	SIC_DISCRETE
Tillverkarens standardleveranstid	26 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 1200 V 31 A (Tc) 169W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-4-14
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	-
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	31 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	18V, 20V
Rds On (max) @ Id, Vgs	100mOhm vid 10A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id	5,1V vid 3,3mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 20 V
Vgs (Max)	+23V, -5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	671 pF @ 800 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	169W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO247-4-14
Inkapsling/låda	TO-247-4

Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 240

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 96,39000	kr 96,39
30	kr 57,14400	kr 1 714,32
120	kr 48,52500	kr 5 823,00
510	kr 44,65125	kr 22 772,14

Tillverkarens standardförpackning

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.