FET:ar, MOSFET:ar enskilda

Visar

av 2

	Tillv. artnr.	Tillgängligt antal	Pris	Serie	Förpackning	Produktstatus	FET-typ	Teknologi	Drain till source-spänning (Vdss)	Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	Rds On (max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	FET-funktion	Effektförlust (max)	Arbetstemperatur	Grad	Godkännande	Monteringstyp	Leverantörens enhetsförpackning	Inkapsling/låda
	IPB048N15N5ATMA1 MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3 Infineon Technologies	1 503 I lager	1 : kr 51,12000 Remsbit (CT) 1 000 : kr 19,21421 Remsa och spole (TR)	OptiMOS™	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	150 V	120 A (Tc)	8V, 10V	4,8mOhm vid 60A, 10V	4,6V vid 264µA	100 nC @ 10 V	±20V	7800 pF @ 75 V	-	300W (Tc)	-55°C-175°C (TJ)	-	-	Ytmontering	PG-TO263-3-2	TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB
	IPB048N15N5LFATMA1 MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK Infineon Technologies	0 I lager Kontrollera leveranstid	1 : kr 65,30000 Remsbit (CT) 1 000 : kr 26,66677 Remsa och spole (TR)	OptiMOS™ 5	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	150 V	120 A (Tc)	10V	4,8mOhm vid 100A, 10V	4,9V vid 255µA	84 nC @ 10 V	±20V	380 pF @ 75 V	-	313W (Tc)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	PG-TO263-3	TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB

Visar

av 2

Enstaka FET:ar, MOSFET:ar

Fälteffekttransistorer (FET:ar) och MOSFET:ar (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) är olika typer av transistorer som används för att förstärka eller switcha elektroniska signaler.

En FET fungerar genom att styra flödet av elektrisk ström mellan source- och drain-anslutningarna genom ett elektriskt fält som genereras av en spänning som appliceras på gate-anslutningen. Den största fördelen med FET:ar är deras höga ingångsimpedans, vilket gör dem perfekta för användning i signalförstärkning och analoga kretsar. De används ofta i tillämpningar som förstärkare, oscillatorer och buffertsteg i elektroniska kretsar.

MOSFET:ar, som är en undertyp av FET:ar, har en gate-anslutning som är isolerad från kanalen med ett tunt oxidskikt, vilket förbättrar dess prestanda och gör dem mycket effektiva. MOSFET:ar kan delas in i två olika typer:

MOSFET:ar med n-kanal: där elektroner är de primära bärarna.
MOSFET:ar med p-kanal: där hål är de primära bärarna.

MOSFET:ar är att föredra i många tillämpningar tack vare deras låga strömförbrukning, snabba switchning och förmåga att hantera stora strömmar och spänningar. De är avgörande i digitala och analoga kretsar, inklusive strömförsörjning, motorstyrningar och radiofrekvenstillämpningar.

MOSFET:ars funktion kan delas upp i två olika lägen:

Förbättringsläge: I det här läget är MOSFET:en normalt avstängd när gate-source spänningen är noll. Den kräver en positiv gate-source spänning (för n-kanal) eller en negativ gate-source spänning (för p-kanal) för att slås på.
Tömningsläge: I det här läget är MOSFET:en normalt på när gate-source spänningen är noll. Om man lägger på en gate-source spänning med motsatt polaritet kan den stängas av.

MOSFET:ar har flera fördelar, t.ex:

Hög verkningsgrad: De förbrukar väldigt lite ström och kan växla läge snabbt, vilket gör dem väldigt effektiva i tillämpningar för strömhantering.
Låg resistans vid tillslag: De har låg tillslagsresistans, vilket minimerar strömförluster och värmeutveckling.
Hög ingångsimpedans: Konstruktionen med en isolerad gate ger en extremt hög ingångsimpedans, vilket gör dem perfekta för signalförstärkning med hög impedans.

Sammanfattningsvis är FET:ar, och i synnerhet MOSFET:ar, grundläggande komponenter i modern elektronik, och är kända för sin verkningsgrad, snabbhet och mångsidighet i en stor mängd tillämpningar, allt från signalförstärkning med låg effekt till switchning och styrning med hög effekt.