Name: IPB048N15N5LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB048N15N5LFATMA1TR-ND
Price: 79.7 SEK
Availability: InStock

IPB048N15N5LFATMA1
DigiKeys produktnummer	IPB048N15N5LFATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) IPB048N15N5LFATMA1CT-ND - Remsbit (CT) IPB048N15N5LFATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPB048N15N5LFATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
Tillverkarens standardleveranstid	17 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 150 V 120 A (Tc) 313W (Tc) Ytmontering PG-TO263-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPB048N15N5LFATMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	150 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	120 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	4,8mOhm vid 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4,9V vid 255µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	84 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	380 pF @ 75 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	313W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO263-3
Inkapsling/låda	TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB
Basproduktens nummer	IPB048

Enhetspris exkl. moms:	kr 63,76000
Enhetspris inkl. moms:	kr 79,70000

IPB048N15N5LFATMA1