VideoLibrary

Nexperia cascode GaN FETs

As a global expert for high performance Power FETs, Nexperia now introduces high-voltage devices with GaN-on-Silicon FET technology.

4/7/2025 2:03:15 PM

Part List

BildTillverkarens artikelnummerBeskrivningAvailable QuantityPrisVisa detaljer
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3GAN063-650WSAQGANFET N-CH 650V 34.5A TO247-30 - Immediate$105.65Visa detaljer
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247GAN041-650WSBQGAN041-650WSB/SOT429/TO-247189 - Immediate$128.35Visa detaljer
GAN111-650WSB/SOT429/TO-247GAN111-650WSBQGAN111-650WSB/SOT429/TO-247313 - Immediate$102.33Visa detaljer
GAN CASCODE FETSGAN039-650NTBJGAN CASCODE FETS601 - Immediate$130.38Visa detaljer
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (GAN039-650NBBHP650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (817 - Immediate$130.38Visa detaljer

Related Videos

Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers
Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers

Publiceringsdatum: 2025-04-15

Switching evaluation of fast GaN devices
Switching evaluation of fast GaN devices

Publiceringsdatum: 2025-04-14

Paralleling GaN FETs
Paralleling GaN FETs

Publiceringsdatum: 2025-04-14

Related Product Highlight

Cascode GaN FETs Nexperia cascode GaN FETs have high power density, performance, and switching frequency for power system applications such as Industry 4.0 and renewable energy.
GaN FETs Nexperia's GaN FETs enable smaller, faster, cooler, lighter systems, with lower overall system cost.

Related Articles and Blogs

Halvledare med brett bandgap ökar effektiviteten i datacenter Eftersom datacenter har ett enormt energibehov krävs kraftlösningar som kan minska energiförlusterna, öka effektiviteten och förbättra värmestyrningen.
Halvledare med brett bandgap omformar transportvärlden Hela transportsektorn genomgår en radikal förändring med lösningar för el- och hybridbilar och renare kollektivtrafik.
Varför och hur man använder GaN-fälteffekttransistorer för effektiva, switchade krafttillämpningar med högre spänning Förbättra energieffektiviteten och effekttätheten i switchade kraftsystem med högre spänning genom att förstå principerna kring en korrekt tillämpning av GaN FET:ar.