GAN111-650WSBQ
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
GAN111-650WSBQ
Nexperia cascode GaN FETs

GAN111-650WSBQ

DigiKeys produktnummer
1727-GAN111-650WSBQ-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
GAN111-650WSBQ
Beskrivning
GAN111-650WSB/SOT429/TO-247
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 21 A (Ta) 107W (Ta) Genomgående hål TO-247-3L
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
114mOhm vid 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,8V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
4.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
336 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
107W (Ta)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247-3L
Inkapsling/låda
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 77
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 130,98000kr 130,98
10kr 90,65400kr 906,54
50kr 73,41900kr 3 670,95
100kr 67,88310kr 6 788,31
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 130,98000
Enhetspris inkl. moms:kr 163,72500