N-kanal 650 V 29 A (Tc) 96W (Tc) Genomgående hål TO-220AB
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TP65H070G4PS

DigiKeys produktnummer
1707-TP65H070G4PS-ND
Tillverkare
Renesas Electronics Corporation
Tillverkarens produktnummer
TP65H070G4PS
Beskrivning
GANFET N-CH 650V 29A TO220
Tillverkarens standardleveranstid
16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 29 A (Tc) 96W (Tc) Genomgående hål TO-220AB
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Renesas Electronics Corporation
Serie
SuperGaN®
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
GaNFET (galliumnitrid)
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
29 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
85mOhm vid 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,7V vid 700µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
638 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
96W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-220AB
Inkapsling/låda
TO-220-3
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 1 152
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 74,09000kr 74,09
50kr 39,98020kr 1 999,01
100kr 36,68980kr 3 668,98
500kr 30,93190kr 15 465,95
1 000kr 29,08383kr 29 083,83
2 000kr 29,06474kr 58 129,48
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 74,09000
Enhetspris inkl. moms:kr 92,61250
Du är kanske också intresserad avVisa alla
9 Artiklar
TP65H150G4PS

TP65H150G4PS

GAN FET N-CH 650V TO-220

Renesas Electronics Corporation

kr 45,21000
TP65H015G5WS

TP65H015G5WS

650 V 95 A GAN FET

Renesas Electronics Corporation

kr 217,94000
TP65H030G4PWS

TP65H030G4PWS

GANFET N-CH 650V 55.7A TO247-3

Renesas Electronics Corporation

kr 100,30000
TP65H100G4PS

TP65H100G4PS

Hi Volt FETs

Renesas Electronics Corporation

kr 61,08000
IGD70R500D2SAUMA1

IGD70R500D2SAUMA1

GANFET N-CH 700V 3.4A T0252-3

Infineon Technologies

kr 16,05000
AMTP65H150G4PS

AMTP65H150G4PS

GAN FET N-CH 650V TO-220

Analog Power Inc.

kr 95,31000
GS0650306LLMRXUMA1

GS0650306LLMRXUMA1

GAN POWER TRANSISTOR

Infineon Technologies

kr 88,86000
IGLT65R055B2AUMA1

IGLT65R055B2AUMA1

GANFET N-CH 650V 21.8A 16SOP

Infineon Technologies

kr 102,42000
IGLT65R035D2ATMA1

IGLT65R035D2ATMA1

GANFET N-CH 650V 47A 16SOP

Infineon Technologies

kr 92,27000