Nexperia

Cascode GaN FETs

Nexperia GaN FETs offer performance, efficiency, and reliability of power systems

Image of Nexperia’s Cascode GaN FETsNexperia cascode GaN FETs offer high power density, performance, and switching frequency. The very high electron mobility of GaN enables the creation of devices with low on-resistance and exceptionally high switching frequency capability, which are vital in next-generation power systems, such as Industry 4.0 and renewable energy applications. The unique cascode GaN FET solution facilitates easy driving of devices using well-known Si MOSFET gate drivers. They deliver unmatched high junction temperature [Tj (max) = +175°C], design freedom, and improved reliability of power systems.

Cascode GaN FETs

BildTillverkarens artikelnummerBeskrivningAvailable QuantityPrisVisa detaljer
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247GAN041-650WSBQGAN041-650WSB/SOT429/TO-247284 - Immediate$164.34Visa detaljer
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3GAN063-650WSAQGANFET N-CH 650V 34.5A TO247-30 - Immediate$129.84Visa detaljer
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (GAN039-650NBBHP650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (847 - Immediate$166.89Visa detaljer
GAN111-650WSB/SOT429/TO-247GAN111-650WSBQGAN111-650WSB/SOT429/TO-247127 - Immediate$130.98Visa detaljer
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (GAN039-650NTBZ650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (0 - Immediate$112.46Visa detaljer
GAN CASCODE FETSGAN039-650NTBJGAN CASCODE FETS717 - Immediate$166.89Visa detaljer
Published: 2024-09-04

Related Videos

Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers
Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers

Publiceringsdatum: 2025-04-15

Switching evaluation of fast GaN devices
Switching evaluation of fast GaN devices

Publiceringsdatum: 2025-04-14

Paralleling GaN FETs
Paralleling GaN FETs

Publiceringsdatum: 2025-04-14

Related Product Highlight

GaN FETs Nexperia's GaN FETs enable smaller, faster, cooler, lighter systems, with lower overall system cost.

Related Articles and Blogs

Halvledare med brett bandgap ökar effektiviteten i datacenter Eftersom datacenter har ett enormt energibehov krävs kraftlösningar som kan minska energiförlusterna, öka effektiviteten och förbättra värmestyrningen.
Halvledare med brett bandgap omformar transportvärlden Hela transportsektorn genomgår en radikal förändring med lösningar för el- och hybridbilar och renare kollektivtrafik.
Varför och hur man använder GaN-fälteffekttransistorer för effektiva, switchade krafttillämpningar med högre spänning Förbättra energieffektiviteten och effekttätheten i switchade kraftsystem med högre spänning genom att förstå principerna kring en korrekt tillämpning av GaN FET:ar.