GAN063-650WSAQ Nexperia USA Inc. | FET:ar, MOSFET:ar enskilda

GAN063-650WSAQ har utgått och tillverkas inte längre.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended

Nexperia USA Inc.

I lager: 175

Enhetspris : kr 135,84000

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

GAN063-650WSAQ
DigiKeys produktnummer	1727-GAN063-650WSAQ-ND
Tillverkare	Nexperia USA Inc.
Tillverkarens produktnummer	GAN063-650WSAQ
Beskrivning	GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 34,5 A (Tc) 143W (Tc) Genomgående hål TO-247-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	GAN063-650WSAQ Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 4,5V vid 1mA
Tillv. Nexperia USA Inc.	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Förpackning Rör	Vgs (Max) ±20V
Artikelstatus Föråldrad	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 400 V
FET-typ N-kanal	Effektförlust (max) 143W (Tc)
Teknologi GaNFET (kaskod gallium-nitrid-FET)	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss) 650 V	Monteringstyp Genomgående hål
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 34,5 A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning TO-247-3
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 10V	Inkapsling/låda TO-247-3
Rds On (max) @ Id, Vgs 60mOhm vid 25A, 10V	Basproduktens nummer GAN063