Name: TW015N120C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW015N120CS1F-ND
Price: 914.05 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TW015N120C,S1F
DigiKeys produktnummer	264-TW015N120CS1F-ND
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	TW015N120C,S1F
Beskrivning	G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
Tillverkarens standardleveranstid	24 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 1200 V 100 A (Tc) 431W (Tc) Genomgående hål TO-247
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TW015N120C,S1F Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	100 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	18V
Rds On (max) @ Id, Vgs	20mOhm vid 50A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V vid 11,7mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	158 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+25V, -10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	6000 pF @ 800 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	431W (Tc)
Arbetstemperatur	175°C
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	TO-247
Inkapsling/låda	TO-247-3

Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 51

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 731,24000	kr 731,24
30	kr 595,47900	kr 17 864,37

Tillverkarens standardförpackning

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.