Name: TPW1R104PB,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPW1R104PBL1XHQTR-ND
Price: 27.05 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TPW1R104PB,L1XHQ
DigiKeys produktnummer	264-TPW1R104PBL1XHQTR-ND - Remsa och spole (TR) 264-TPW1R104PBL1XHQCT-ND - Remsbit (CT) 264-TPW1R104PBL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	TPW1R104PB,L1XHQ
Beskrivning	MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP
Tillverkarens standardleveranstid	16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 40 V 120 A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Ytmontering 8-DSOP Advance
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TPW1R104PB,L1XHQ Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIX-H
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	40 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	120 A (Ta)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	1,14mOhm vid 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V vid 500µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	4560 pF @ 10 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	960mW (Ta), 132W (Tc)
Arbetstemperatur	175°C
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	8-DSOP Advance
Inkapsling/låda	8-PowerVDFN
Basproduktens nummer	TPW1R104