Name: TK31V60X,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK31V60XLQTR-ND
Price: 85.05 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

TK31V60X,LQ
DigiKeys produktnummer	TK31V60XLQTR-ND - Remsa och spole (TR) TK31V60XLQCT-ND - Remsbit (CT) TK31V60XLQDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	TK31V60X,LQ
Beskrivning	MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Tillverkarens standardleveranstid	16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 600 V 30,8 A (Ta) 240W (Tc) Ytmontering 4-DFN-EP (8x8)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TK31V60X,LQ Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV-H
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	600 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	30,8 A (Ta)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	98mOhm vid 9,4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,5V vid 1,5mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	65 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	3000 pF @ 300 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	240W (Tc)
Arbetstemperatur	150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	4-DFN-EP (8x8)
Inkapsling/låda	4-VSFN exponerad kontaktyta
Basproduktens nummer	TK31V60

Enhetspris exkl. moms:	kr 68,04000
Enhetspris inkl. moms:	kr 85,05000

TK31V60X,LQ