Name: TK31V60W5,LVQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK31V60W5LVQTR-ND
Price: 72.4125 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TK31V60W5,LVQ
DigiKeys produktnummer	TK31V60W5LVQTR-ND - Remsa och spole (TR) TK31V60W5LVQCT-ND - Remsbit (CT) TK31V60W5LVQDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	TK31V60W5,LVQ
Beskrivning	MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Tillverkarens standardleveranstid	16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 600 V 30,8 A (Ta) 240W (Tc) Ytmontering 4-DFN-EP (8x8)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TK31V60W5,LVQ Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	600 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	30,8 A (Ta)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	109mOhm vid 15,4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4,5V vid 1,5mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	105 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	3000 pF @ 300 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	240W (Tc)
Arbetstemperatur	150°C (TA)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	4-DFN-EP (8x8)
Inkapsling/låda	4-VSFN exponerad kontaktyta
Basproduktens nummer	TK31V60