Name: TK160F10N1L,LXGQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK160F10N1LLXGQTR-ND
Price: 55.05 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TK160F10N1L,LXGQ
DigiKeys produktnummer	264-TK160F10N1LLXGQTR-ND - Remsa och spole (TR) 264-TK160F10N1LLXGQCT-ND - Remsbit (CT) 264-TK160F10N1LLXGQDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	TK160F10N1L,LXGQ
Beskrivning	MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Tillverkarens standardleveranstid	52 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 160A (Ta) 375W (Tc) Ytmontering TO-220SM(W)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TK160F10N1L,LXGQ Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	100 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	160A (Ta)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	2,4mOhm vid 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,5V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	122 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	10100 pF @ 10 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	375W (Tc)
Arbetstemperatur	175°C
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	TO-220SM(W)
Inkapsling/låda	TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB
Basproduktens nummer	TK160F10