Name: TK11S10N1L,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK11S10N1L,LQTR-ND
Price: 15.7125 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TK11S10N1L,LQ
DigiKeys produktnummer	264-TK11S10N1L,LQTR-ND - Remsa och spole (TR) 264-TK11S10N1L,LQCT-ND - Remsbit (CT) 264-TK11S10N1L,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	TK11S10N1L,LQ
Beskrivning	MOSFET N-CH 100V 11A DPAK
Tillverkarens standardleveranstid	16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 11 A (Ta) 65W (Tc) Ytmontering DPAK+
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TK11S10N1L,LQ Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	100 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	11 A (Ta)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	28mOhm vid 5,5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,5V vid 100µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	850 pF @ 10 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	65W (Tc)
Arbetstemperatur	175°C
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	DPAK+
Inkapsling/låda	TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63
Basproduktens nummer	TK11S10