Name: TJ90S04M3L,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ90S04M3L,LQTR-ND
Price: 34.725 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

TJ90S04M3L,LQ
DigiKeys produktnummer	264-TJ90S04M3L,LQTR-ND - Remsa och spole (TR) 264-TJ90S04M3L,LQCT-ND - Remsbit (CT) 264-TJ90S04M3L,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	TJ90S04M3L,LQ
Beskrivning	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Tillverkarens standardleveranstid	16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 40 V 90 A (Ta) 180W (Tc) Ytmontering DPAK+
Datablad	Datablad

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	P-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	40 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	90 A (Ta)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	4,3mOhm vid 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	172 nC @ 10 V
Vgs (Max)	+10V, -20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	7700 pF @ 10 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	180W (Tc)
Arbetstemperatur	175°C
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	DPAK+
Inkapsling/låda	TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63

Enhetspris exkl. moms:	kr 27,78000
Enhetspris inkl. moms:	kr 34,72500

TJ90S04M3L,LQ